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1. (WO2012008523) プラズマ処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/008523 国際出願番号: PCT/JP2011/066080
国際公開日: 19.01.2012 国際出願日: 14.07.2011
IPC:
C23C 16/509 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01) ,H05H 1/00 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
50
放電を用いるもの
505
高周波放電によるもの
509
内部電極を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
24
プラズマの発生
46
電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
出願人:
国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 宮城県仙台市青葉区片平二丁目1番1号 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577, JP (AllExceptUS)
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP (AllExceptUS)
平山 昌樹 HIRAYAMA, Masaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
大見 忠弘 OHMI, Tadahiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
平山 昌樹 HIRAYAMA, Masaki; JP
大見 忠弘 OHMI, Tadahiro; JP
代理人:
萩原康司 HAGIWARA, Yasushi; 東京都新宿区住吉町1-20 角張ビル はづき国際特許事務所 Hazuki International, Kakubari Building, 1-20, Sumiyoshi-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 1620065, JP
優先権情報:
2010-16044815.07.2010JP
発明の名称: (EN) PLASMA TREATMENT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
要約:
(EN) [Problem] To provide a plasma treatment device capable of exciting uniform plasma. [Solution] Provided is a plasma treatment device (10) characterized by being provided with a vacuum vessel (100) in which an object to be treated is mounted, a plurality of electrode pairs (200) which each have two electrode parts and are arranged with a clearance therebetween within the vacuum vessel, and a transfer path for supplying electromagnetic waves for exciting plasma into the vacuum vessel, and characterized in that each of the plurality of electrode pairs comprises a waveguide (205) formed between the two electrode parts, connected to the transfer path, and is open in a slit shape to the plasma space, and a dielectric plate (210) inserted in the waveguide and exposed to the plasma space, and the electromagnetic waves supplied from the transfer path are emitted from the plasma-exposed surface of the dielectric plate into the vacuum vessel after being propagated through the waveguide and excite plasma.
(FR) L'invention concerne un dispositif de traitement par plasma capable de générer un plasma uniforme. Ledit dispositif de traitement par plasma (10) comporte une chambre à vide (100) dans laquelle est monté un objet à traiter, une pluralité de paires d'électrodes (200) qui comportent chacune deux parties d'électrode et sont espacées à l'intérieur de la chambre à vide, et un chemin de transfert acheminant des ondes électromagnétiques pour exciter le plasma dans la chambre à vide. Ledit dispositif se caractérise en ce que chaque paire d'électrodes comprend un guide d'ondes (205) formé entre les deux parties d'électrode, relié au chemin de transfert et ouvert en forme de fente dans l'espace du plasma, et une plaque diélectrique (210) insérée dans le guide d'ondes et exposée à l'espace du plasma, et les ondes électromagnétiques acheminées par le chemin de transfert sont émises dans la chambre à vide pour exciter le plasma depuis la surface exposée au plasma de la plaque diélectrique après s'être propagées à travers le guide d'ondes.
(JA) 【課題】均一なプラズマを励起することが可能なプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】内部に被処理体を載置する真空容器100と、2つの電極部を有し、真空容器の内部に隙間を設けて配列された複数の電極対200と、真空容器の内部にプラズマを励起するための電磁波を供給する伝送路とを備え、複数の電極対のそれぞれは、2つの電極部間に形成され、前記伝送路に接続され、前記プラズマ空間に向けてスリット状に開口する導波路205と、導波路に挿入され、プラズマ空間に露出する誘電体板210とを有し、伝送路から供給された電磁波が、導波路を伝搬した後に誘電体板のプラズマ露出面から真空容器内に放出してプラズマを励起することを特徴とするプラズマ処理装置10が提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)