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1. (WO2012008521) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/008521 国際出願番号: PCT/JP2011/066077
国際公開日: 19.01.2012 国際出願日: 14.07.2011
IPC:
H05H 1/46 (2006.01) ,C23C 16/509 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H05H 1/00 (2006.01)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
24
プラズマの発生
46
電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
50
放電を用いるもの
505
高周波放電によるもの
509
内部電極を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
出願人:
国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 宮城県仙台市青葉区片平二丁目1番1号 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577, JP (AllExceptUS)
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP (AllExceptUS)
平山 昌樹 HIRAYAMA, Masaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
大見 忠弘 OHMI, Tadahiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
平山 昌樹 HIRAYAMA, Masaki; JP
大見 忠弘 OHMI, Tadahiro; JP
代理人:
萩原康司 HAGIWARA, Yasushi; 東京都新宿区住吉町1-20 角張ビル はづき国際特許事務所 Hazuki International, Kakubari Building, 1-20, Sumiyoshi-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 1620065, JP
優先権情報:
2010-16044915.07.2010JP
発明の名称: (EN) PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
要約:
(EN) [Problem] To provide a plasma processing apparatus and a method therefor, wherein uniform plasma can be excited upon a substrate with a large area. [Solution] A plasma processing apparatus (10) comprises: a vacuum container (100) that further comprises a mounting base (115) upon which a substrate (G) is to be mounted, and plasma space above the mounting base where plasma is to be generated; first coaxial pipes (225) that supply high-frequency waves for exciting plasma into the vacuum container (100); guiding paths (205) that are connected to the first coaxial pipes (225), and open in slit-form towards the plasma space; and an adjusting means for adjusting the wavelength of the high-frequency waves propagating the guiding paths (205) in the longitudinal direction of the slit-formed openings thereof. A high-frequency electric field that is uniform along the longitudinal direction of the slit-formed opening can be applied, by making the wavelength of the high-frequency waves propagating the guiding paths (205) sufficiently long with the adjusting means. This enables uniform plasma to be excited upon a substrate with a large area.
(FR) L'invention a pour objet de réaliser un appareil de traitement au plasma et un procédé à cet effet, selon lequel un plasma uniforme peut être excité sur un substrat ayant une surface étendue. Un appareil de traitement au plasma (10) selon l'invention comprend : une cuve sous vide (100) incluant en outre une base de montage (115) sur laquelle est monté un substrat (G) et un espace à plasma au-dessus de la base de montage dans lequel sera généré le plasma ; des premiers tuyaux coaxiaux (225) qui délivrent des ondes à haute fréquence pour exciter le plasma dans la cuve sous vide (100) ; des trajets de guidage (205) qui sont reliés aux premiers tuyaux coaxiaux (225) et qui sont ouverts en forme de fente en direction de l'espace à plasma ; et des moyens de réglage pour régler la longueur d'onde des ondes à haute fréquence qui se propagent dans les trajets de guidage (205) dans le sens longitudinal de leurs ouvertures en forme de fente. En rendant la longueur d'onde des ondes à haute fréquence qui se propagent dans les trajets de guidage (205) suffisamment longue avec les moyens de réglage, il est possible d'appliquer un champ électrique à haute fréquence qui est uniforme dans le sens longitudinal de l'ouverture en forme de fente. Cela permet une excitation uniforme du plasma sur un substrat ayant une surface étendue.
(JA) 【課題】大面積基板上に均一なプラズマを励起することが可能なプラズマ処理装置及び方法を提供する。 【解決手段】プラズマ処理装置10は、内部に基板Gを載置する載置台115と載置台上方においてプラズマが発生されるプラズマ空間とを有する真空容器100と、真空容器100の内部にプラズマを励起するための高周波を供給する第1の同軸管225と、第1の同軸管225に接続され、プラズマ空間に向けてスリット状に開口する導波路205と、導波路205を前記スリット状の開口の長手方向に伝搬する高周波の波長を調整する調整手段とを有する。前記調整手段により導波路205を伝搬する高周波の波長を十分に長くすることにより、前記スリット状の開口に長手方向に沿って均一な高周波電界を印加することができる。これにより、大面積基板上に均一なプラズマを励起することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
Also published as:
US20130140984