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1. (WO2012008436) 太陽電池の製造方法及び製膜装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/008436 国際出願番号: PCT/JP2011/065861
国際公開日: 19.01.2012 国際出願日: 12.07.2011
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
出願人:
信越化学工業株式会社 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目6番1号 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP (AllExceptUS)
三田 怜 MITTA Ryo [JP/JP]; JP (UsOnly)
高橋 光人 TAKAHASHI Mitsuhito [JP/JP]; JP (UsOnly)
橋上 洋 HASHIGAMI Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
村上 貴志 MURAKAMI Takashi [JP/JP]; JP (UsOnly)
月形 信太郎 TSUKIGATA Shintarou [JP/JP]; JP (UsOnly)
渡部 武紀 WATABE Takenori [JP/JP]; JP (UsOnly)
大塚 寛之 OTSUKA Hiroyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
三田 怜 MITTA Ryo; JP
高橋 光人 TAKAHASHI Mitsuhito; JP
橋上 洋 HASHIGAMI Hiroshi; JP
村上 貴志 MURAKAMI Takashi; JP
月形 信太郎 TSUKIGATA Shintarou; JP
渡部 武紀 WATABE Takenori; JP
大塚 寛之 OTSUKA Hiroyuki; JP
代理人:
小島 隆司 KOJIMA Takashi; 東京都中央区銀座二丁目16番12号 銀座大塚ビル2階 GINZA OHTSUKA Bldg. 2F, 16-12, Ginza 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040061, JP
優先権情報:
2010-16039415.07.2010JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING SOLAR CELL AND FILM-PRODUCING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CELLULE SOLAIRE ET DISPOSITIF DE PRODUCTION DE FILM
(JA) 太陽電池の製造方法及び製膜装置
要約:
(EN) Disclosed is a method that is for producing a solar cell and that is characterized by performing an annealing step on a semiconductor substrate before an electrode-forming step. By means of performing annealing in the above manner, it is possible to improve the electrical characteristics of the solar cell without negatively impacting reliability or outward appearance. As a result, the method can be widely used in methods for producing solar cells having high reliability and electrical characteristics.
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'une cellule solaire, caractérisé par l'exécution d'une étape de recuit sur un substrat semi-conducteur avant une étape de formation d'électrode. En réalisant le recuit de la manière indiquée ci-dessus, il est possible d'améliorer les caractéristiques électriques de la cellule solaire sans avoir un impact négatif sur la fiabilité ou l'aspect extérieur. De ce fait, le procédé peut être largement utilisé dans des procédés de production de cellules solaires ayant des caractéristiques électriques et de fiabilité élevées.
(JA)  半導体基板に対して、電極形成工程前にアニール工程を行うことを特徴とする太陽電池の製造方法に関するもので、本発明によれば、以上のようにアニールを行うことで、信頼性及び外観を損ねることなく太陽電池の電気特性を改善することができる。このため、高い電気特性と信頼性を持つ太陽電池の製造方法に広く利用することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
EP2595197US20130171763CN103155163SG187069KR1020130041924AU2011277505
MYPI 2013000004IN291/CHENP/2013