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1. (WO2012008409) エッチング方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/008409 国際出願番号: PCT/JP2011/065788
国際公開日: 19.01.2012 国際出願日: 11.07.2011
予備審査請求日: 20.12.2011
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
SPPテクノロジーズ株式会社 SPP Technologies Co., Ltd. [JP/JP]; 東京都中央区晴海一丁目8番11号 オフィスタワーY8階 Office Tower Y 8F, 8-11 Harumi 1-Chome, Chuo-ku, Tokyo, 1046108, JP (AllExceptUS)
大石 明光 OISHI, Akimitsu [JP/JP]; JP (UsOnly)
村上 彰一 MURAKAMI, Shoichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
大石 明光 OISHI, Akimitsu; JP
村上 彰一 MURAKAMI, Shoichi; JP
代理人:
村上 智司 MURAKAMI, Satoshi; 大阪府大阪市北区西天満二丁目6番8号 堂島ビルヂング7階 Dojima Building, 7th Floor, 6-8 Nishitemma 2-Chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047, JP
優先権情報:
2010-15764812.07.2010JP
PCT/JP2011/05600515.03.2011JP
発明の名称: (EN) ETCHING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE
(JA) エッチング方法
要約:
(EN) The present invention relates to an etching method which can etch a silicon carbide substrate with higher accuracy. The method is achieved by repeating a first etching step and a second etching step alternately, wherein the first etching step comprises heating a silicon carbide substrate (K) to 200˚C or higher, supplying an SF6 gas to a treatment chamber to generate a plasma of the gas, and applying a bias voltage to a base, thereby etching the silicon carbide substrate (K) isotropically, and the second step comprises heating the silicon carbide substrate (K) to 200˚C or higher, supplying an SF6 gas and an O2 gas to the treatment chamber to generate plasmas of these gases, and applying a bias voltage to the base on which the silicon carbide substrate (K) is mounted, thereby forming a silicon oxide film as a protective film on the silicon carbide substrate (K) and, at the same time, etching the silicon carbide substrate (K).
(FR) La présente invention porte sur un procédé de gravure qui permet de graver un substrat en carbure de silicium avec une précision plus élevée. Le procédé est réalisé par répétition d'une première étape de gravure et d'une seconde étape de gravure en alternance, la première étape de gravure comprenant le chauffage d'un substrat en carbure de silicium (K) à une température supérieure ou égale à 200°C, l'introduction d'un gaz à base de SF6 dans une chambre de traitement pour produire un plasma du gaz et l'application d'une tension de polarisation à une base, permettant ainsi de graver le substrat en carbure de silicium (K) de façon isotrope, et la seconde étape comprenant le chauffage du substrat en carbure de silicium (K) à une température supérieure ou égale à 200°C, l'introduction d'un gaz à base de SF6 et d'un gaz à base d'O2 dans la chambre de traitement pour produire des plasmas de ces gaz et l'application d'une tension de polarisation à la base sur laquelle le substrat en carbure de silicium (K) est monté, permettant ainsi de former un film d'oxyde de silicium sous forme d'un film protecteur sur le substrat en carbure de silicium (K) et, en même temps, de graver le substrat en carbure de silicium (K).
(JA)  本発明は、より高精度に炭化珪素基板をエッチングすることができるエッチング方法に関する。炭化珪素基板Kを200℃以上に加熱し、SFガスを処理チャンバ内に供給してプラズマ化し、基台にバイアス電位を与え、炭化珪素基板Kを等方的にエッチングする第1エッチング工程と、炭化珪素基板Kを200℃以上に加熱し、SFガス及びOガスを処理チャンバ内に供給してプラズマ化し、炭化珪素基板Kが載置される基台にバイアス電位を与え、酸化シリコン膜を保護膜として炭化珪素基板Kに形成しつつ炭化珪素基板Kをエッチングする第2エッチング工程とを交互に繰り返して実施する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130115772EP2595180CN103125015JPWO2012008409KR1020130141436