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1. (WO2012008387) 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法、電子機器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/008387 国際出願番号: PCT/JP2011/065733
国際公開日: 19.01.2012 国際出願日: 08.07.2011
IPC:
H01L 27/14 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
出願人:
ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南1丁目7番1号 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP (AllExceptUS)
前田 兼作 MAEDA Kensaku [JP/JP]; JP (UsOnly)
松谷 弘康 MATSUGAI Hiroyasu [JP/JP]; JP (UsOnly)
守屋 雄介 MORIYA Yusuke [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
前田 兼作 MAEDA Kensaku; JP
松谷 弘康 MATSUGAI Hiroyasu; JP
守屋 雄介 MORIYA Yusuke; JP
代理人:
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; 東京都新宿区西新宿7丁目11番18号 711ビルディング4階 711 Building 4F, 11-18, Nishi-Shinjuku 7-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600023, JP
優先権情報:
2010-16108315.07.2010JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, PROCESS FOR PRODUCING SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法、電子機器
要約:
(EN) The present invention relates to a solid-state imaging element and a solid-state imaging element production method which can provide a solid-state imaging element having excellent light-condensing properties, and also relates to an electronic device. The solid-state imaging element comprises a semiconductor base body (11) and a photoelectric conversion part formed on the semiconductor base body (11). The solid-state imaging element is provided with an organic material layer and an inorganic material layer which are laminated on the semiconductor base body through at least one stress-relaxing layer (22). This technique can be applied to, for example, a solid-state imaging element having a microlens arranged on a pixel or the like.
(FR) La présente invention concerne un élément d'imagerie à semi-conducteurs et un procédé de fabrication qui permet d'obtenir un élément d'imagerie à semi-conducteurs avec d'excellentes propriétés de condensation de la lumière, ainsi qu'un dispositif électronique. Ledit élément d'imagerie à semi-conducteurs comprend un corps de base semi-conducteur (11) et une partie de conversion photoélectrique formée sur le corps de base semi-conducteur (11). L'élément d'imagerie à semi-conducteurs est pourvu d'une couche de matériau organique et d'une couche de matériau inorganique qui sont déposées sur le corps de base semi-conducteur par l'intermédiaire d'au moins une couche de relaxation des contraintes (22). Cette technique peut également être appliquée, par exemple, à un élément d'imagerie à semi-conducteurs comportant une microlentille disposée sur un pixel ou son équivalent.
(JA) 本発明は、集光特性に優れた固体撮像素子を提供することができる固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法、電子機器に関する。 固体撮像素子は、半導体基体11と、半導体基体11に形成されている光電変換部とを有している。そして、固体撮像素子の半導体基体上には、少なくとも1層以上の応力緩和層22を介して積層されている有機材料層と無機材料層とが設けられている。本技術は、例えば、画素上にマイクロレンズを備える固体撮像素子等に適用することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
EP2595189US20130134540CN103098213US20140210032KR1020130090396EP3232472
CN107425023CN107425024KR1020180026805KR1020190047119