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1. (WO2012008379) 発光ダイオード及び発光ダイオードランプ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/008379 国際出願番号: PCT/JP2011/065694
国際公開日: 19.01.2012 国際出願日: 08.07.2011
IPC:
H01L 33/06 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
04
量子効果を奏する構造または超格子を有するもの,例.トンネル接合
06
発光領域内にあるもの,例.量子閉じ込め構造,トンネル障壁
出願人:
昭和電工株式会社 SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 東京都港区芝大門一丁目13番9号 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518, JP (AllExceptUS)
瀬尾 則善 SEO Noriyoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
松村 篤 MATSUMURA Atsushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
竹内 良一 TAKEUCHI Ryouichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
瀬尾 則善 SEO Noriyoshi; JP
松村 篤 MATSUMURA Atsushi; JP
竹内 良一 TAKEUCHI Ryouichi; JP
代理人:
志賀 正武 SHIGA Masatake; 東京都千代田区丸の内一丁目9番2号 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620, JP
優先権情報:
2010-15865513.07.2010JP
2010-18320718.08.2010JP
発明の名称: (EN) LIGHT EMITTING DIODE AND LIGHT EMITTING DIODE LAMP
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET LAMPE À DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
(JA) 発光ダイオード及び発光ダイオードランプ
要約:
(EN) This light emitting diode comprises a pn junction light emitting part which has a light emitting layer (10) that is composed of n-number of strained light emitting layers (12) and (n - 1)-number of barrier layers (13). In cases where there is a barrier layer, the light emitting layer (10) has a structure wherein one strained light emitting layer (12) and one barrier layer (13) are alternately arranged. In this connection, n is an integer of 1-7, and the thickness of the light emitting layer (10) is set to 250 nm or less.
(FR) L'invention concerne une diode électroluminescente qui comprend une partie émettant de la lumière à jonction pn, comportant une couche émettant de la lumière (10) qui est constituée d'un nombre n de couches émettant de la lumière (12) contraintes et d'un nombre (n-1) de couches de barrière (13). Lorsqu'il y a une couche de barrière, la couche émettant de la lumière (10) est faite d'une structure dans laquelle une couche émettant de la lumière contrainte (12) et une couche de barrière (13) sont disposées alternativement. Dans ce contexte, n est un nombre entier de 1 à 7 et l'épaisseur de la couche émettant de la lumière (10) est inférieure ou égale à 250 nm.
(JA)  本発明に係る発光ダイオードは、n層の歪発光層(12)、及びn-1層のバリア層(13)よりなる発光層(10)を有するpn接合型の発光部を備え、バリア層が存在するとき前記発光層(10)は、1層の歪発光層(12)と、1層のバリア層(13)とが交互に積層された構成を有し、nを1~7の整数とし、かつ発光層(10)の厚さを250nm以下にする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
Also published as:
US20130112999EP2595203CN103098238KR1020130041093