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1. (WO2012008349) 磁気抵抗素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/008349 国際出願番号: PCT/JP2011/065542
国際公開日: 19.01.2012 国際出願日: 07.07.2011
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
8246
リードオンリーメモリ構造(ROM)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08
磁界制御抵抗
出願人:
株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280, JP (AllExceptUS)
早川 純 HAYAKAWA Jun [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
早川 純 HAYAKAWA Jun; JP
代理人:
平木 祐輔 HIRAKI Yusuke; 東京都港区愛宕2丁目5番1号 愛宕グリーンヒルズMORIタワー32階 Atago Green Hills MORI Tower 32F, 5-1, Atago 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1056232, JP
優先権情報:
2010-16142116.07.2010JP
発明の名称: (EN) MAGNETIC RESISTANCE ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
(FR) ELÉMENT DE RÉSISTANCE MAGNÉTIQUE, CELLULE DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE ET MÉMOIRE À ACCÈS ALÉATOIRE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気抵抗素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ
要約:
(EN) Disclosed is a multi-value high-capacity low-power-consumption non-volatile memory. It is made possible to record three-valued recording information by arranging a first tunnel magnetic resistance element (300) and a second tunnel magnetic resistance element (500) on either side of a non-magnetic layer (401). A free layer (303) of the first tunnel magnetic resistance element (300) and a free layer (501) of the second tunnel magnetic resistance element (500) are arranged so as to face each other on either side of the non-magnetic layer (401). Alternatively, a fixed layer (301) of the first tunnel magnetic resistance element (300) and a fixed layer (503) of the second tunnel magnetic resistance element (500) are arranged so as to face each other on either side of the non-magnetic layer (401). A single-bit three-valued high-capacity magnetic memory can be realised by arranging magnetic memory cells, in which this magnetic resistance element (10) is provided with a switching element, in the form of an array to thereby form a magnetic random access memory.
(FR) Mémoire rémanente à faible consommation d'énergie, forte capacité, multivaluée. Il est possible d'enregistrer des informations d'enregistrement à trois valeurs en disposant un premier élément de résistance magnétique à effet tunnel (300) et un second élément de résistance magnétique à effet tunnel (500) sur l'un ou l'autre côté d'une couche non magnétique (401). Une couche libre (303) du premier élément de résistance magnétique à effet tunnel (300) et une couche libre (501) du second élément de résistance magnétique à effet tunnel (500) se font face sur l'un ou l'autre côté de la couche non magnétique (401). En variante, Une couche fixe (301) du premier élément de résistance magnétique à effet tunnel (300) et une couche fixe (503) du second élément de résistance magnétique à effet tunnel (500) se font face sur l'un ou l'autre côté de la couche non magnétique (401).Il est possible de réaliser une mémoire magnétique de forte capacité trivaluée à un seul bite en agençant les cellules de mémoire magnétique, dont l'élément de résistance magnétique (10) est équipé d'un élément de commutation, sous forme d'un réseau pour former une mémoire magnétique à accès aléatoire.
(JA)  多値大容量低消費電力不揮発性メモリを提供する。 非磁性層401を挟んで第一のトンネル磁気抵抗素子300と第二のトンネル磁気抵抗素子500を配置したことにより、3値の記録情報を記録可能にする。非磁性層401を挟んで、第一のトンネル磁気抵抗素子300の自由層303と第二のトンネル磁気抵抗素子500の自由層501が向き合うように配置する。あるいは、非磁性層401を挟んで、第一のトンネル磁気抵抗素子300の固定層301と第二のトンネル磁気抵抗素子500の固定層5003が向き合うように配置する。この磁気抵抗素子10にスイッチング素子を備えた磁気メモリセルをアレイ状に配置して磁気ランダムアクセスメモリを形成することにより、1ビット3値の大容量磁気メモリを実現できる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
Also published as:
JPWO2012008349