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1. WO2012008282 - ドライエッチング剤及びドライエッチング方法

公開番号 WO/2012/008282
公開日 19.01.2012
国際出願番号 PCT/JP2011/064524
国際出願日 24.06.2011
IPC
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
C07C 21/18 2006.01
C化学;冶金
07有機化学
C非環式化合物または炭素環式化合物
21ハロゲン原子を含有する非環式不飽和化合物
02炭素―炭素二重結合を含有するもの
18フッ素を含有するもの
C09K 13/08 2006.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
13エッチング,表面つや出しまたは酸洗い(ピクリング)用組成物
04無機酸を含有するもの
08ふっ素化合物を含有するもの
CPC
C09K 13/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
13Etching, surface-brightening or pickling compositions
C09K 13/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
13Etching, surface-brightening or pickling compositions
04containing an inorganic acid
08containing a fluorine compound
H01L 21/31116
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
311Etching the insulating layers ; by chemical or physical means
31105Etching inorganic layers
31111by chemical means
31116by dry-etching
出願人
  • セントラル硝子株式会社 CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 梅崎 智典 UMEZAKI, Tomonori (UsOnly)
  • 日比野 泰雄 HIBINO, Yasuo (UsOnly)
  • 毛利 勇 MORI, Isamu (UsOnly)
  • 岡本 覚 OKAMOTO, Satoru (UsOnly)
  • 菊池 亜紀応 KIKUCHI, Akiou (UsOnly)
発明者
  • 梅崎 智典 UMEZAKI, Tomonori
  • 日比野 泰雄 HIBINO, Yasuo
  • 毛利 勇 MORI, Isamu
  • 岡本 覚 OKAMOTO, Satoru
  • 菊池 亜紀応 KIKUCHI, Akiou
代理人
  • 小林 博通 KOBAYASHI, Hiromichi
優先権情報
2010-15801012.07.2010JP
2010-24667002.11.2010JP
2011-13702221.06.2011JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DRY ETCHING AGENT AND DRY ETCHING METHOD
(FR) AGENT DE GRAVURE SÈCHE ET PROCÉDÉ DE GRAVURE SÈCHE
(JA) ドライエッチング剤及びドライエッチング方法
要約
(EN)
A dry etching agent which comprises (A) 1,3,3,3- tetrafluoropropene, (B) at least one additive gas selected from the group consisting of H2, O2, CO, O3, CO2, COCl2, CF3OF, COF2, NO2, F2, NF3, Cl2, Br2, I2, CH4, C2H2, C2H4, C2H6, C3H4, C3H6, C3H8, HI, HBr, HCl, NO, NH3, and YFn [wherein Y is Cl, Br or I; n is an integer satisfying the relationship: 1≤n≤7], and (C) an inert gas. The dry etching agent has little influence on the global environment, can dramatically widen the process window, and can accommodate, without a special substrate-exciting operation or the like, fabrication which necessitates a small side etch ratio and a high aspect ratio.
(FR)
La présente invention a trait à un agent de gravure sèche qui comprend (A) 1,3,3,3- tétrafluoropropylène, (B) au moins un gaz adjuvant sélectionné dans le groupe comprenant H2, O2, CO, O3, CO2, COCl2, CF3OF, COF2, NO2, F2, NF3, Cl2, Br2, I2, CH4, C2H2, C2H4, C2H6, C3H4, C3H6, C3H8, HI, HBr, HCl, NO, NH3 et YFn [où Y est Cl, Br ou I ; n est un nombre entier satisfaisant la relation : 1 ≤ n ≤ 7], et (C) un gaz inerte. L'agent de gravure sèche n'a que peu d'influence sur l'environnement global, permet d'agrandir fortement la fenêtre de processus, et permet d'accommoder, sans opération spéciale d'excitation de substrat ou similaire, la fabrication qui nécessite un faible rapport de gravure latérale et un rapport largeur/longueur élevé.
(JA)
 本発明のドライエッチング剤は、(A)1,3,3,3-テトラフルオロプロペンと、(B)H2、O2、CO、O3、CO2、COCl2、CF3OF、COF2、NO2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、CH4、C22,C24,C26、C34、C36、C38、HI、HBr、HCl、NO、NH3、及びYFn(式中、YはCl、Br、又はIを表し、nは整数を表し、1≦n≦7である。)からなる群より選ばれる少なくとも1種の添加ガスと、(C)不活性ガスを含む。該ドライエッチング剤は、地球環境に対する影響が小さく、飛躍的にプロセスウインドウを広げることができ、特殊な基板の励起操作等なしにサイドエッチ率が小さく高アスペクト比が要求される加工にも対応できる。
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