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1. (WO2012008272) 受光素子及びそれを備えた光通信デバイス、並びに受光素子の製造方法及び光通信デバイスの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/008272 国際出願番号: PCT/JP2011/064191
国際公開日: 19.01.2012 国際出願日: 15.06.2011
IPC:
H01L 31/10 (2006.01) ,H01L 31/108 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08
輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08
輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
101
赤外線,可視光線または紫外線の放射に感応する装置
102
唯一の電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
108
電位障壁がショットキー型であるもの
出願人:
日本電気株式会社 NEC CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝五丁目7番1号 7-1,Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001, JP (AllExceptUS)
岡本 大典 OKAMOTO, Daisuke [JP/JP]; JP (UsOnly)
藤方 潤一 FUJIKATA, Junichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
岡本 大典 OKAMOTO, Daisuke; JP
藤方 潤一 FUJIKATA, Junichi; JP
代理人:
下坂 直樹 SHIMOSAKA, Naoki; 東京都港区芝五丁目7番1号日本電気株式会社内 c/o NEC CORPORATION, 7-1,Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001, JP
優先権情報:
2010-16170716.07.2010JP
発明の名称: (EN) LIGHT-RECEIVING ELEMENT, OPTICAL COMMUNICATION DEVICE EQUIPPED WITH SAME, PROCESS FOR PRODUCTION OF LIGHT-RECEIVING ELEMENT, AND PROCESS FOR PRODUCTION OF OPTICAL COMMUNICATION DEVICE
(FR) ÉLÉMENT PHOTORÉCEPTEUR, DISPOSITIF DE COMMUNICATION OPTIQUE ÉQUIPÉ DE CE DERNIER, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN ÉLÉMENT PHOTORÉCEPTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF DE COMMUNICATION OPTIQUE
(JA) 受光素子及びそれを備えた光通信デバイス、並びに受光素子の製造方法及び光通信デバイスの製造方法
要約:
(EN) Provided are: a light-receiving element which can overcome the problem of poor sensitivity of conventional light-receiving elements; an optical communication device equipped with the light-receiving element; a process for producing a light-receiving element; and a process for producing an optical communication device. The light-receiving element comprises a substrate, a lower clad layer arranged on the substrate, an optical waveguide arranged on the lower clad layer, an intermediate layer arranged on the optical waveguide, a light-absorbing layer arranged on the intermediate layer, and a pair of electrodes arranged on the light-absorbing layer, wherein the light-absorbing layer comprises a IV-group or III-V-group semiconductor having a single crystal structure, and the light-absorbing layer can absorb an optical signal that propagates through the optical waveguide.
(FR) L'invention concerne : un élément photorécepteur qui peut surmonter le problème de la faible sensibilité des éléments photorécepteurs conventionnels ; un dispositif de communication optique équipé de cet élément photorécepteur ; un procédé de production d'un élément photorécepteur ; et un procédé de production d'un dispositif de communication optique. L'élément photorécepteur comprend un substrat, une couche de confinement inférieure disposée sur le substrat, un guide d'ondes optiques disposé sur la couche de confinement inférieure, une couche intermédiaire disposée sur le guide d'ondes optiques, une couche absorbant de la lumière disposée sur la couche intermédiaire et une paire d'électrodes disposées sur la couche absorbant de la lumière. La couche absorbant de la lumière comprend un semi-conducteur du groupe IV ou du groupe III-V comportant une structure cristalline unique et la couche absorbant de la lumière peut absorber un signal optique qui se propage sur le guide d'ondes optiques.
(JA) 受光素子の感度が低いという課題を解決する受光素子及びそれを備えた光通信デバイス、並びに受光素子の製造方法及び光通信デバイスの製造方法を提供する。受光素子は、基板と、基板上に位置する下クラッド層と、下クラッド層上に位置する光導波路と、光導波路上に位置する中間層と、中間層上に位置する光吸収層と、光吸収層上に位置する一対の電極と、を有し、光吸収層は単結晶構造のIV族半導体又はIII-V族半導体からなり、光吸収層は、前記光導波路を伝播する光信号を吸収する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130113064JPWO2012008272