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1. (WO2012008252) 化学機械研磨パッドおよび化学機械研磨方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/008252 国際出願番号: PCT/JP2011/063500
国際公開日: 19.01.2012 国際出願日: 13.06.2011
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,B24B 37/00 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37
ラッピング機械または装置;附属装置
出願人:
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP (AllExceptUS)
久保 光太郎 KUBO, Kotaro [JP/JP]; JP (UsOnly)
保坂 幸生 HOSAKA, Yukio [JP/JP]; JP (UsOnly)
岡本 隆浩 OKAMOTO, Takahiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
久保 光太郎 KUBO, Kotaro; JP
保坂 幸生 HOSAKA, Yukio; JP
岡本 隆浩 OKAMOTO, Takahiro; JP
代理人:
大渕 美千栄 OFUCHI, Michie; 東京都杉並区荻窪五丁目26番13号 荻窪TMビル2階 2nd Floor, Ogikubo TM Bldg., 26-13, Ogikubo 5-chome, Suginami-ku, Tokyo 1670051, JP
優先権情報:
2010-15755912.07.2010JP
2010-15756012.07.2010JP
2010-17590005.08.2010JP
発明の名称: (EN) CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING PAD AND CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING METHOD
(FR) TAMPON ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE CHIMICO-MÉCANIQUE
(JA) 化学機械研磨パッドおよび化学機械研磨方法
要約:
(EN) Disclosed is a chemical-mechanical polishing pad provided with a polishing layer, wherein recesses are disposed on the surface of the polishing layer for polishing. The polishing layer: has a surface layer section that contains at least the inner surfaces of the recesses; and is characterized in that the ratio (D1/D2) of the average opening ratio (D1) (%) in the inner surfaces of the recesses when the polishing layer is immersed in 23°C water for one hour to the average opening ratio (D2) (%) in a cross section when the cross section, defined by cutting the polishing layer in a plane that does not intersect with the surface layer section, is immersed in 23°C water for one hour is 0.01 to 0.5.
(FR) L'invention concerne un tampon de polissage chimico-mécanique pourvu d'une couche de polissage, la surface de la couche de polissage comportant des évidements prévus à des fins de polissage. La couche de polissage comporte une partie de couche de surface qui contient au moins les surfaces intérieures des évidements, et est caractérisée par le rapport (D1/D2) du taux d'ouverture moyenne (D1) (%) des surfaces intérieures des évidements, quand la couche de polissage est immergée dans de l'eau à 23°C pendant une heure, sur le taux d'ouverture moyenne (D2) (%) en coupe transversale quand la section transversale, définie par une coupe de la couche de polissage dans un plan ne coupant pas la partie de couche de surface, est immergée dans de l'eau à 23°C pendant une heure, ledit rapport étant compris entre 0,01 et 0,5.
(JA)  本発明に係る化学機械研磨パッドは、研磨層を備えた化学機械研磨パッドであって、前記研磨層の研磨に供される表面には凹部が設けられ、前記研磨層は少なくとも前記凹部の内面を含む表層部を有し、前記表層部と交差しない面で前記研磨層を切断した断面を23℃の水に1時間浸漬したときの前記断面における平均開口率D2(%)に対する、前記研磨層を23℃の水に1時間浸漬したときの前記凹部の内面における平均開口率D1(%)の比率(D1/D2)が、0.01以上0.5以下であることを特徴とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
Also published as:
US20130189907JPWO2012008252KR1020130124281