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1. (WO2012008203) 感光性塗布型電極材料を用いたTFTの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/008203 国際出願番号: PCT/JP2011/060263
国際公開日: 19.01.2012 国際出願日: 27.04.2011
IPC:
H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/288 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 29/417 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283
電極用の導電または絶縁材料の析出
288
液体からの析出,例.電解液からの析出
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
40
電極
41
その形状,相対的大きさまたは配置に特徴のあるもの
417
整流,増幅またはスイッチされる電流を流すもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
出願人:
セイコーインスツル株式会社 SEIKO INSTRUMENTS INC. [JP/JP]; 千葉県千葉市美浜区中瀬1丁目8番地 8, Nakase 1-chome, Mihama-ku, Chiba-shi, Chiba 2618507, JP (AllExceptUS)
杉野谷 充 SUGINOYA, Mitsuru [JP/JP]; JP (UsOnly)
小林 寛昌 KOBAYASHI, Tomoatsu [JP/JP]; JP (UsOnly)
石曽根 昇 ISHISONE, Noboru [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
杉野谷 充 SUGINOYA, Mitsuru; JP
小林 寛昌 KOBAYASHI, Tomoatsu; JP
石曽根 昇 ISHISONE, Noboru; JP
代理人:
久原 健太郎 KUHARA, Kentaro; 千葉県千葉市美浜区中瀬1丁目8番地 セイコーインスツル株式会社内 c/o SEIKO INSTRUMENTS INC., 8, Nakase 1-chome, Mihama-ku, Chiba-shi, Chiba 2618507, JP
優先権情報:
2010-16168716.07.2010JP
発明の名称: (EN) METHOD OF MANUFACTURING TFT USING PHOTOSENSITIVE APPLYING-TYPE ELECTRODE MATERIAL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES METTANT EN ŒUVRE UN MATÉRIAU D'ÉLECTRODE DE TYPE À REVÊTEMENT PHOTOSENSIBLE
(JA) 感光性塗布型電極材料を用いたTFTの製造方法
要約:
(EN) Conventional electrode forming methods such as photolithography or mask sputtering had problems difficult to solve, such as simplification of the process, efficiency in the use of materials, cost, and being adaptable to various substrate sizes, and ink-jet methods had a problem in that high definition patterns could not be attained. A desired electrode patterning is achieved by using a photosensitive applying-type electrode material. In an electrode forming process of the present invention, the desired pattern can be obtained by implementing a first exposure and a second exposure having an amount of exposure greater than the first exposure, using a lamp having diffused light as the light source thereof, which is advantageous in cost. Problems that could not be solved by conventional manufacturing methods of TFT, such as efficiency in the use of materials, cost, and being adaptable to various substrate sizes, for examples, and a problem that could not be solved by the ink-jet methods in that high definition patterns could not be attained, are solved by implementing a twice-exposure process using diffused light.
(FR) Une photolithographie et une pulvérisation avec masque constituant un procédé d'électrode dans l'art antérieur, présentent la difficulté de devoir résoudre des problèmes de simplification des opérations, de rendement des matières premières mises en œuvre, de coût, et de tailles variées des substrats. Quant à la technique du jet d'encre, elle présente des problèmes en ce qu'elle ne permet pas d'obtenir un motif haute définition. Or, en mettant en œuvre un matériau d'électrode de type à revêtement photosensible, le motif d'électrode désiré est formé. Selon l'invention, lors de l'opération d'établissement d'électrode, il est possible d'obtenir le motif d'électrode désiré par exécution d'une première exposition et d'une seconde exposition ayant une lumination plus importante que la première exposition, à l'aide d'une lampe ayant pour source lumineuse une lumière de diffusion dotée d'un avantage de coût. Selon le processus de double exposition mettant en œuvre la lumière de diffusion, il est possible, dans le cadre par exemple de l'établissement d'un transistor à couches minces, de résoudre les problèmes de rendement des matières premières mises en œuvre, de coût, et de tailles variées des substrats qui ne peuvent pas être résolus par un procédé de l'art antérieur, de même que le problème d'obtention d'un motif haute définition qui ne peut pas être résolu par la technique du jet d'encre.
(JA) 従来の電極方法であるフォトリソグラフィ、マスクスパッタリングは、工程の簡略化、材料使用効率、コスト、多様な基板サイズに対応において解決するには困難な課題があり、インクジェット方式では高精細度なパターンが得られないという課題がある。 感光性塗布型電極材料を用いて、所望の電極パターンニングを行う。本発明による電極作成工程において、コストメリットがある拡散光を光源とするランプを用いて第1の露光と第1の露光よりも大きい露光量をもった第2の露光を施すことで、所望の電極パターンを得ることができる。拡散光を用いた2回露光プロセスによって、例えばTFT作成において従来の方法では解決できない材料使用効率、コスト、多様な基板サイズに対応という課題かつ、インクジェット方式では解決できない高精細パターニングを解決するものである。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)