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1. (WO2012008103) 結晶性半導体膜の製造方法及び結晶性半導体膜の製造装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/008103 国際出願番号: PCT/JP2011/003642
国際公開日: 19.01.2012 国際出願日: 27.06.2011
IPC:
H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
出願人:
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 PANASONIC LIQUID CRYSTAL DISPLAY CO., LTD. [JP/JP]; 兵庫県姫路市飾磨区妻鹿日田町1-6 1-6, Megahida-cho, Shikama-ku, Himeji-shi, Hyogo 6728033, JP (AllExceptUS)
齋藤 徹 SAITO, Toru; null (UsOnly)
吉岡 洋 YOSHIOKA, Hiroshi; null (UsOnly)
堀田 定吉 HOTTA, Sadayoshi; null (UsOnly)
発明者:
齋藤 徹 SAITO, Toru; null
吉岡 洋 YOSHIOKA, Hiroshi; null
堀田 定吉 HOTTA, Sadayoshi; null
代理人:
新居 広守 NII, Hiromori; 大阪府大阪市淀川区西中島5丁目3番10号タナカ・イトーピア新大阪ビル6階新居国際特許事務所内 c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011, JP
優先権情報:
2010-16207516.07.2010JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING CRYSTALLINE SEMICONDUCTOR FILM AND APPARATUS FOR MANUFACTURING CRYSTALLINE SEMICONDUCTOR FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN FILM SEMI-CONDUCTEUR CRISTALLIN ET APPAREIL DE FABRICATION D'UN FILM SEMI-CONDUCTEUR CRISTALLIN
(JA) 結晶性半導体膜の製造方法及び結晶性半導体膜の製造装置
要約:
(EN) The present invention includes: a first step wherein a metal layer is formed above a substrate; a second step wherein a gate electrode is formed in each pixel of a plurality of pixels (20) by patterning the metal layer; a third step wherein a gate insulating film is formed on the gate electrode; a fourth step wherein an amorphous semiconductor film is formed on the gate insulating film; and a fifth step wherein the amorphous semiconductor film is crystallized by radiating a laser beam. The laser radiation width of the laser beam corresponds to n (n is an integer of 2 or more) times the width of the pixel (20), the laser energy intensity at one end of the laser radiation width of the laser beam is higher than the laser energy intensity at the other end, and in the fifth step, the laser energy intensities of the laser beam is configured in such a manner that the laser energy intensities at one end and the other end of the laser radiation width of the laser beam invert every n pixels.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un film semi-conducteur cristallin et un appareil de fabrication d'un film semi-conducteur cristallin, lequel procédé comprend les étapes suivantes: une première étape dans laquelle une couche métallique est formée sur un substrat ; une deuxième étape dans laquelle une électrode de grille est formée dans chaque pixel d'une pluralité de pixels (20) en gravant la couche métallique ; une troisième étape dans laquelle un film d'isolation de grille est formé sur l'électrode de grille ; une quatrième étape dans laquelle un film semi-conducteur amorphe est formé sur le film d'isolation de grille ; et une cinquième étape dans laquelle le film semi-conducteur amorphe est cristallisé par le rayonnement d'un faisceau laser. La largeur de rayonnement du faisceau laser correspond à n fois (n étant un nombre entier égal ou supérieur à 2) la largeur du pixel (20) ; l'intensité de l'énergie laser à une extrémité de la largeur de rayonnement du faisceau laser est supérieure à l'intensité de l'énergie laser à l'autre extrémité ; et, dans la cinquième étape, les intensités de l'énergie du faisceau laser sont configurées de manière à ce que les intensités de l'énergie laser à l'une et à l'autre des extrémités de la largeur de rayonnement du faisceau laser soient inversées tous les n pixels.
(JA)  基板の上方に金属層を形成する第1工程と、金属層をパターニングして複数の画素(20)の各画素内にゲート電極を形成する第2工程と、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する第3工程と、ゲート絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成する第4工程と、レーザ光を照射して非晶質半導体膜を結晶化する第5工程と、を含み、レーザ光のレーザ照射幅は、画素(20)の幅のn倍(nは2以上の整数)に対応し、レーザ光のレーザ照射幅の一方の端部におけるレーザエネルギーの強度は他方の端部におけるレーザエネルギーの強度より高く、第5工程において、レーザ光のレーザエネルギーの強度は、n画素ごとに、レーザ光のレーザ照射幅の一方の端部と他方の端部とが反転するように構成される。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
Also published as:
CN102473606JPWO2012008103KR1020120031054