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1. (WO2012008096) 荷電粒子線装置、および欠陥観察装置、および管理サーバ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/008096 国際出願番号: PCT/JP2011/003552
国際公開日: 19.01.2012 国際出願日: 22.06.2011
IPC:
H01J 37/24 (2006.01) ,H01J 37/22 (2006.01) ,H01J 37/28 (2006.01) ,H01L 21/66 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
02
細部
24
管の特定用途に使用されず,かつ他のどの分類にも属しない回路装置
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
02
細部
22
管と関連した光学または写真装置
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
26
電子またはイオン顕微鏡;電子またはイオン回折管
28
走査ビームを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66
製造または処理中の試験または測定
出願人:
株式会社 日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西新橋一丁目24番14号 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717, JP (AllExceptUS)
三宅 孝造 MIYAKE, Kozo [JP/JP]; JP (UsOnly)
小西 潤子 KONISHI, Junko [JP/JP]; JP (UsOnly)
平井 大博 HIRAI, Takehiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
小原 健二 OBARA, Kenji [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
三宅 孝造 MIYAKE, Kozo; JP
小西 潤子 KONISHI, Junko; JP
平井 大博 HIRAI, Takehiro; JP
小原 健二 OBARA, Kenji; JP
代理人:
井上 学 INOUE, Manabu; 東京都千代田区丸の内一丁目6番1号 株式会社 日立製作所内 c/o HITACHI,LTD., 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008220, JP
優先権情報:
2010-16019315.07.2010JP
発明の名称: (EN) CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE, DEFECT SUPERVISION DEVICE, AND MANAGEMENT SERVER
(FR) DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES, DISPOSITIF DE SUPERVISION DE DÉFAUTS ET SERVEUR DE GESTION
(JA) 荷電粒子線装置、および欠陥観察装置、および管理サーバ
要約:
(EN) The present invention provides a charged particle beam device that prevents process problems arising from defects being overlooked or other deterioration in review performance from being magnified by detecting potentials for malfunctions or faults that affect device performance during sample process sequences and providing feedback in realtime. At each step in the charged particle beam device process, items to be monitored that denote the runtime status of the device, such as the electron beam control state, the degree of offset when the wafer is positioned, and the degree of defect coordinate error offset, are monitored during the sample process sequence and history information thereof stored. During the process sequence, comparison determinations of the values of the items to be monitored with previous history information corresponding to the items to be monitored are carried out using preset determination criteria, and alerts issued when degrees of fluctuation from the previous history information exceed reference ranges.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à faisceau de particules chargées qui évite les problèmes de traitement dus au fait que des défauts sont ignorés ou que d'autres détériorations des performances examinées sont amplifiées en détectant des potentiels de défauts de fonctionnement ou de défaillances qui affectent les performances du dispositif pendant les séquences de traitement de l'échantillon et qui fournit un retour d'informations en temps réel. À chaque étape du processus exécuté par le dispositif à faisceau de particules chargées, les éléments à surveiller qui dénotent l'état de fonctionnement du dispositif, par exemple l'état de commande du faisceau d'électrons, le degré de décalage au positionnement de la tranche et le degré de décalage dans l'erreur de coordonnées des défauts, sont surveillés au cours de la séquence de traitement de l'échantillon et des informations historiques sont enregistrées. Pendant cette séquence de traitement, des comparaisons sont effectuées entre les valeurs des éléments à surveiller et des informations historiques antérieures correspondant aux éléments à surveiller, à l'aide de critères de détermination prédéterminés, et des alertes sont produites lorsque le degré de fluctuation par rapport aux informations historiques antérieures dépasse certaines plages de référence.
(JA)  装置の性能に影響する動作異常又は異常の可能性を、試料の処理シーケンス中に検出し、リアルタイムでフィードバックすることで、欠陥の見逃しなどレビュー性能の劣化に起因する工程トラブルの増大を防止する荷電粒子線装置を提供する。 荷電粒子線装置の各処理ステップにおいて、電子線の制御状態,ウェーハ位置決め時のオフセット量,欠陥座標誤差オフセット量など、装置の動作状態を表すモニタリング項目を試料の処理シーケンス中にモニタリングし、履歴情報として保存する。また、処理シーケンス途中に、予め設定された判定基準で、モニタリング項目の値と、当該モニタリング項目に対応する過去の履歴情報との比較判定を行い、過去の履歴情報からの変動幅が基準範囲を外れた場合はアラートを発する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130112893