このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2012008091) 荷電粒子線装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/008091 国際出願番号: PCT/JP2011/003392
国際公開日: 19.01.2012 国際出願日: 15.06.2011
IPC:
H01J 37/20 (2006.01) ,H01J 37/22 (2006.01) ,H01L 21/66 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
02
細部
20
物体または材料を支持しまたは位置づける手段;支持体に関連した隔膜壁またはレンズを調節する手段
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
02
細部
22
管と関連した光学または写真装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66
製造または処理中の試験または測定
出願人:
株式会社 日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西新橋一丁目24番14号 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717, JP (AllExceptUS)
加藤 達一 KATOU, Tatsuichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
高田 哲 TAKADA, Satoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
加藤 達一 KATOU, Tatsuichi; JP
高田 哲 TAKADA, Satoshi; JP
代理人:
井上 学 INOUE, Manabu; 東京都千代田区丸の内一丁目6番1号 株式会社 日立製作所内 c/o HITACHI,LTD., 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008220, JP
優先権情報:
2010-16019615.07.2010JP
発明の名称: (EN) CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE
(FR) DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES
(JA) 荷電粒子線装置
要約:
(EN) Recently, size reduction and high integration are progressing in semiconductor manufacturing processes, so cases are increasing in which sites to be reviewed are closely spaced. The problem in such cases is that if a review is performed by using a conventional pre-charging technique, scans by a pre-charging electron beam are overlapped and a charged voltage on the surface of a sample exceeds a dielectric breakdown voltage, causing dielectric breakdown in the region where the scans by the electron beam are overlapped. The purpose of the present invention is to provide a defect review method for reducing the risk of dielectric breakdown and also provide a charged particle beam device. When reviewing a sample using a pre-charging technique, a plurality of images are captured after performing a charging control process once. In addition, the sites to be reviewed in an overlapped pre-charging scan region are grouped into groups on each of which a charging control is performed once and the charging control process is executed on each of the groups, thereby reducing the risk of dielectric breakdown.
(FR) La diminution de la taille et la forte intégration ont beaucoup progressé au cours des dernières années dans les procédés de fabrication de semi-conducteurs, cela ayant conduit à l'augmentation du nombre de sites faiblement espacés à examiner. Le problème posé dans ce cas est que si un examen est effectué en utilisant une technique de précharge classique, les balayages effectués par un faisceau d'électrons de précharge se chevauchent et la tension chargée à la surface d'un échantillon dépasse une tension de claquage diélectrique, cela provoquant un claquage diélectrique dans la région où les balayages effectués par les faisceaux d'électrons se chevauchent. Le but de la présente invention est de fournir un procédé d'examen des défauts permettant de réduire le risque de claquage diélectrique et de fournir également un dispositif générateur de faisceau de particules chargées. Lors de l'analyse d'un échantillon à l'aide d'une technique de précharge, une pluralité d'images sont acquises après exécution d'un seul processus de contrôle de la charge. De plus, les sites à examiner dans une région de balayage de précharge superposée sont regroupés en groupes sur chacun desquels un contrôle de charge est effectué une seule fois et le processus de contrôle de la charge est exécuté sur chacun des groupes, cela réduisant le risque de claquage diélectrique.
(JA)  近年、半導体製造プロセスにおける微細化や高集積化が進み、観察対象箇所が密集している場合が増えている。このような場合に従来のプリチャージに関する技術を用いて観察を行うと、プリチャージによる電子ビームの走査が重複し、試料表面上の帯電電位が絶縁破壊限界電圧を超えてしまい、電子ビームの走査が重複した領域において絶縁破壊が引き起こされる。本発明は絶縁破壊の危険性を低減する欠陥観察方法、及び荷電粒子線装置を提供することを目的とする。 プリチャージに関する技術を用いて試料を観察する場合において、一度の帯電制御処理で複数の画像を撮像する。またプリチャージ走査領域が重複する観察対象箇所を、一度に帯電制御する観察対象箇所ごとのグループにグルーピングし、前記グループごとに帯電制御処理を実行することにより絶縁破壊の危険性を低減する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130105690