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1. (WO2012008080) 薄膜トランジスタ基板
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/008080 国際出願番号: PCT/JP2011/002881
国際公開日: 19.01.2012 国際出願日: 24.05.2011
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
G 物理学
02
光学
F
光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1
独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01
強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13
液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133
構造配置;液晶セルの作動;回路配置
136
半導体の層または基板と構造上組み合された液晶セル,例.集積回路の一部を構成するセル
1362
アクティブマトリックスセル
1368
スイッチング素子が三端子の素子であるもの
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522, JP (AllExceptUS)
美崎克紀 MISAKI, Katsunori; null (UsOnly)
発明者:
美崎克紀 MISAKI, Katsunori; null
代理人:
前田弘 MAEDA, Hiroshi; 大阪府大阪市中央区本町2丁目5番7号 大阪丸紅ビル Osaka-Marubeni Bldg., 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053, JP
優先権情報:
2010-15952914.07.2010JP
発明の名称: (EN) THIN-FILM TRANSISTOR SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE TRANSISTOR À FILM MINCE
(JA) 薄膜トランジスタ基板
要約:
(EN) Disclosed is a thin-film transistor substrate that has an oxide semiconductor layer, and that reduces the contact resistance between the oxide semiconductor layer and both a source electrode and a drain electrode while suppressing alteration of the oxide semiconductor layer by means of compensating for oxygen deficiency of the oxide semiconductor layer. In the oxide semiconductor layer, within an area having a predetermined electrical resistance, the degree of oxidization (S1) of the portion on the same side as the gate insulating film, and the degree of oxidization (S2) of the portion on the surface-side at the connection sites of the source electrode and the drain electrode are set at the relationship of S2
(FR) L'invention concerne un substrat de transistor à film mince qui possède une couche d'oxyde semiconducteur et qui réduit la résistance de contact entre la couche d'oxyde semiconducteur et à la fois une électrode de source et une électrode de drain tout en évitant l'altération de la couche d'oxyde semiconducteur à l'aide d'un moyen de compensation de la déficience en oxygène de la couche d'oxyde semiconducteur. Dans la couche d'oxyde semiconducteur, dans une région qui offre une résistance électrique prédéterminée, le degré d'oxydation (S1) de la partie se trouvant du même côté que le film d'isolation de grille et le degré d'oxydation (S2) de la partie de la surface des sites de connexion de l'électrode de source et de l'électrode de drain respectent l'inéquation S2 < S1 et le degré d'oxydation (S3) de la partie de la surface d'une région de canal est rendu supérieur aux degrés d'oxydation (S1, S2) des autres régions en réalisant un recuit de la couche d'oxyde semiconducteur dans une atmosphère contenant de l'oxygène après la formation de l'électrode de source et de l'électrode de drain.
(JA)  本発明は、酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタ基板において、酸化物半導体層の酸素欠損を補償することにより酸化物半導体層の変質を抑制しつつ、ソース電極及びドレイン電極と酸化物半導体層とのコンタクト抵抗を低くするものである。 酸化物半導体層において、所定の電気抵抗を有する範囲で、ゲート絶縁膜側部分の酸化度S1並びにソース電極及びドレイン電極の接続箇所における表層側部分の酸化度S2をS2<S1の関係に設定し、チャネル領域の表層側部分の酸化度S3を、ソース電極及びドレイン電極の形成後に酸化物半導体層を酸素を含む雰囲気中でアニール処理することで、他の領域の酸化度S1、S2よりも高くする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130063675