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1. (WO2012008061) ボロン拡散層を有するシリコン太陽電池セル及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/008061 国際出願番号: PCT/JP2010/068225
国際公開日: 19.01.2012 国際出願日: 08.10.2010
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
出願人:
シラクセル株式会社 SILUXEL CORPORATION [JP/JP]; 東京都江戸川区小松川3丁目12番2号 12-2, Komatsugawa 3-chome, Edogawa-ku, Tokyo 1320039, JP (AllExceptUS)
上下 利男 JOGE, Toshio [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
上下 利男 JOGE, Toshio; JP
代理人:
高田 幸彦 TAKADA, Yukihiko; 茨城県水戸市大町一丁目2番6号 2-6, O-machi 1-chome, Mito-shi, Ibaraki 3100062, JP
優先権情報:
2010-16192616.07.2010JP
発明の名称: (EN) SILICON SOLAR CELL HAVING BORON DIFFUSION LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) CELLULE SOLAIRE AU SILICIUM COMPRENANT UNE COUCHE DE DIFFUSION EN BORE, AINSI QUE SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) ボロン拡散層を有するシリコン太陽電池セル及びその製造方法
要約:
(EN) Currently the most widespread Al-BSF type solar cell has a limitation in reducing the thickness thereof because of having a back surface Al electrode, resulting in a thickness of about 200 μm, and the conversion efficiency thereof is about 16 to 17 %. To reduce the manufacturing cost of the cell, further reduction in thickness and increase in efficiency are required. An SiO2 film and an SiNx film are formed on both surfaces of a silicon solar cell having an n+-p-p+ structure made by diffusing phosphorus and boron. A grid electrode is formed on a light receiving surface and a thin Al electrode having a large number of small openings is formed over the substantially entire back surface, thereby obtaining a B/Al-BSF type high-efficiency thin solar cell having an n+pp++ structure, in which a p++ layer forming a strong BSF is formed on the Al electrode portion.
(FR) La présente invention porte sur une cellule solaire au silicium comprenant une couche de diffusion en bore, ainsi que son procédé de fabrication. Actuellement, la cellule solaire de type Al-BSF la plus répandue connaît une limite dans la réduction de son épaisseur parce qu'elle possède une électrode en Al sur la surface postérieure, ce qui donne une épaisseur d'environ 200 µm, et parce que son rendement de conversion est d'environ 16 à 17 %. Afin de réduire le coût de fabrication de la cellule, il est nécessaire d'obtenir une nouvelle réduction de l'épaisseur et une amélioration du rendement. Un film de SiO2 et un film de SiNx sont formés sur les deux surfaces d'une cellule solaire au silicium ayant une structure n+-p-p+ obtenue par diffusion de phosphore et de bore. Une électrode de grille est formée sur une surface recevant la lumière et une électrode mince en Al comprenant un grand nombre de petites ouvertures est formée sur sensiblement la totalité de la surface postérieure, ce qui donne une cellule solaire mince à haut rendement de type B/al-BSF, comprenant une structure n+pp++, dans laquelle une couche p++ formant un puissant BSF est formée sur la partie d'électrode d'Al.
(JA)  現在最も普及しているAl-BSF形太陽電池セルは、裏面Al電極を有するため薄形化に限界があり200μm程度となっており、その変換効率は16~17%程度である。セルの製造コストを低減するための更なる薄形化と高効率化が課題となっている。 リン拡散及びボロン拡散によって作製したn+‐p‐p+構造を有するシリコン太陽電池セルの両面にSiO2膜及びSiNx膜を形成し、受光面にグリッド電極、裏面に小さな多数の開口部を有する薄いAl電極をほぼ全面に亘って形成することによって当該Al電極部に強いBSFとなるp++層を形成したことを特徴とするn+pp++ B/Al-BSF形の薄形高効率太陽電池セル。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
Also published as:
CN103026494