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1. (WO2012008003) 多結晶シリコンの鋳造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/008003 国際出願番号: PCT/JP2010/006919
国際公開日: 19.01.2012 国際出願日: 26.11.2010
IPC:
C01B 33/02 (2006.01) ,H01L 31/04 (2006.01)
C 化学;冶金
01
無機化学
B
非金属元素;その化合物
33
けい素;その化合物
02
けい素
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
出願人:
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634, JP (AllExceptUS)
八木 大地 YAGI, Daichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
杉村 渉 SUGIMURA, Wataru [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
八木 大地 YAGI, Daichi; JP
杉村 渉 SUGIMURA, Wataru; JP
代理人:
森 道雄 MORI, Michio; 兵庫県尼崎市東難波町五丁目17番23号森道雄特許事務所 M. MORI PATENT OFFICE, 17-23, Higashinaniwa-cho 5-chome, Amagasaki-shi, Hyogo 6600892, JP
優先権情報:
2010-15859313.07.2010JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR CASTING POLYCRYSTALLINE SILICON
(FR) PROCÉDÉ DE COULÉE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
(JA) 多結晶シリコンの鋳造方法
要約:
(EN) Disclosed is a method for casting polycrystalline silicon used as a substrate material for solar cells that reduces the amount of metal carried in when supplying raw material to a crucible. Said method for casting polycrystalline silicon uses a bottomless cooling crucible and continuously casts polycrystalline silicon by electromagnetic induction. High-purity silicon with a maximum particle diameter of 40 mm, wherein 0% to 40% of the particles have a diameter 0.6 to 3 mm and 100% to 60% of the particles have a diameter greater than 3 mm and up to 40 mm, is used as the raw material. This reduces contamination by heavy metals and enables polycrystalline silicon used as substrate material for solar cells that can maintain a good conversion efficiency to be readily produced using an electromagnetic casting device that uses a simple and small raw material supply pipe.
(FR) La présente invention concerne un procédé de coulée de silicium polycristallin utilisé comme matériau substrat pour cellules solaires permettant de réduire la quantité de métal transporté lors de la charge de matériau brut dans un creuset. Ledit procédé de coulée de silicium polycristallin utilise un creuset de refroidissement sans fond et permet de couler de manière continue le silicium polycristallin par induction électromagnétique. Du silicium de pureté élevée ayant un diamètre maximum de particules de 40 mm, 0 % à 40 % des particules ayant un diamètre allant de 0,6 à 3 mm et 60 % à 100 % des particules ayant un diamètre supérieur à 3 mm et allant jusqu'à 40 mm, est utilisé comme matériau brut. Ce procédé permet de réduire la contamination par des métaux lourds et permet au silicium polycristallin utilisé comme matériau substrat pour cellules solaires pouvant maintenir une bonne efficacité de conversion d'être produit aisément en utilisant un dispositif de coulée électromagnétique utilisant une conduite d'alimentation en matériau brut simple et petite.
(JA)  原料のルツボ内への供給時における金属の持ち込みを少なくし、太陽電池の基板材として用いられる多結晶シリコンの鋳造方法であり、無底の冷却ルツボを用い、電磁誘導により多結晶シリコンを連続的に鋳造する多結晶シリコンの鋳造方法であって、原料として、最大粒径が40mmであり、かつ、粒径が0.6mm~3mmのものが0~40%、粒径が3mmを超え40mm以下のものが100~60%である高純度シリコンを使用する。これにより、重金属による汚染が少なく、良好な変換効率を維持できる太陽電池の基板材としての多結晶シリコンを、簡素で小型の原料供給配管を採用した電磁鋳造装置を使用して容易に製造することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)