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1. (WO2012005333) TiO含有石英ガラス基材およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/005333 国際出願番号: PCT/JP2011/065603
国際公開日: 12.01.2012 国際出願日: 07.07.2011
IPC:
C03B 20/00 (2006.01) ,B29C 33/38 (2006.01) ,C03B 8/04 (2006.01) ,C03C 3/06 (2006.01) ,G02B 1/00 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
C 化学;冶金
03
ガラス;鉱物またはスラグウール
B
ガラス、鉱物またはスラグウールの製造または成形;または、ガラス、鉱物またはスラグウールの製造または成形における補助プロセス
20
石英または溶融シリカ物品の製造に特に適合したプロセス
B 処理操作;運輸
29
プラスチックの加工;可塑状態の物質の加工一般
C
プラスチックの成形または接合;可塑状態の物質の成形一般;成形品の後処理,例.補修
33
型またはコア;その細部または付属装置
38
材料または製造方法に特微があるもの
C 化学;冶金
03
ガラス;鉱物またはスラグウール
B
ガラス、鉱物またはスラグウールの製造または成形;または、ガラス、鉱物またはスラグウールの製造または成形における補助プロセス
8
溶融法以外の方法によるガラスの製造
04
気相反応法によるもの
C 化学;冶金
03
ガラス;鉱物またはスラグウール
C
ガラス,うわ薬またはガラス質ほうろうの化学組成;ガラスの表面処理;ガラス,鉱物またはスラグからの繊維またはフィラメントの表面処理;ガラスのガラスまたは他物質への接着
3
ガラスの組成物
04
シリカを含むもの
06
重量比90%より多くシリカを有するもの,例.石英
G 物理学
02
光学
B
光学要素,光学系,または光学装置
1
使用物質によって特徴づけられた光学要素;光学要素のための光学的コーティング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
旭硝子株式会社 Asahi Glass Company, Limited. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目5番1号 5-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405, JP (AllExceptUS)
宮坂 順子 MIYASAKA Junko [JP/JP]; JP (UsOnly)
小池 章夫 KOIKE Akio [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
宮坂 順子 MIYASAKA Junko; JP
小池 章夫 KOIKE Akio; JP
代理人:
小栗 昌平 OGURI Shohei; 東京都港区西新橋一丁目7番13号 虎ノ門イーストビルディング10階 栄光特許事務所 Eikoh Patent Firm, Toranomon East Bldg. 10F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003, JP
優先権情報:
2010-15569108.07.2010JP
発明の名称: (EN) TIO2-CONTAINING QUARTZ GLASS SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) SUBSTRAT DE VERRE DE QUARTZ CONTENANT DU TIO2 ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION ASSOCIÉ
(JA) TiO含有石英ガラス基材およびその製造方法
要約:
(EN) Disclosed is a TiO2-containing quartz glass substrate, wherein the TiO2 concentration is 3-8 mass%, the OH concentration is not more than 50 mass ppm, and the internal transmittance (T365) per 1 mm thickness at a wavelength of 365 nm is at least 95%.
(FR) L'invention concerne un substrat de verre de quartz contenant du TiO2, dans lequel la concentration de TiO2 est de 3 à 8% en masse, la concentration de OH n'est pas supérieure à 50 ppm en masse et le facteur de transmission interne (T365) pour 1 mm d'épaisseur, à une longueur d'onde de 365 nm, est d'au moins 95%.
(JA)  本発明は、TiO濃度が3~8質量%であり、OH濃度が50質量ppm以下であり、波長365nmにおける厚さ1mmあたりの内部透過率T365が95%以上である、TiO含有石英ガラス基材に関する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130123092CN102985379JPWO2012005333KR1020130124279