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1. WO2012005333 - TiO含有石英ガラス基材およびその製造方法

公開番号 WO/2012/005333
公開日 12.01.2012
国際出願番号 PCT/JP2011/065603
国際出願日 07.07.2011
IPC
C03B 20/00 2006.01
C化学;冶金
03ガラス;鉱物またはスラグウール
Bガラス、鉱物またはスラグウールの製造または成形;または、ガラス、鉱物またはスラグウールの製造または成形における補助プロセス
20石英または溶融シリカ物品の製造に特に適合したプロセス
B29C 33/38 2006.01
B処理操作;運輸
29プラスチックの加工;可塑状態の物質の加工一般
Cプラスチックの成形または接合;他に分類されない可塑状態の材料の成形;成形品の後処理,例.補修
33型またはコア;その細部または付属装置
38材料または製造方法に特微があるもの
C03B 8/04 2006.01
C化学;冶金
03ガラス;鉱物またはスラグウール
Bガラス、鉱物またはスラグウールの製造または成形;または、ガラス、鉱物またはスラグウールの製造または成形における補助プロセス
8溶融法以外の方法によるガラスの製造
04気相反応法によるもの
C03C 3/06 2006.01
C化学;冶金
03ガラス;鉱物またはスラグウール
Cガラス,うわ薬またはガラス質ほうろうの化学組成;ガラスの表面処理;ガラス,鉱物またはスラグ製の繊維またはフィラメントの表面処理;ガラスのガラスまたは他物質への接着
3ガラスの組成物
04シリカを含むもの
06重量比90%より多くシリカを有するもの,例.石英
G02B 1/00 2006.01
G物理学
02光学
B光学要素,光学系,または光学装置
1使用物質によって特徴づけられた光学要素;光学要素のための光学的コーティング
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
CPC
B29C 33/38
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
33Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
38characterised by the material or the manufacturing process
B29K 2909/08
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
KINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR ; MOULDS, ; REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
2909Use of inorganic materials not provided for in groups B29K2803/00 - B29K2807/00, as mould material
08Glass
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
B82Y 40/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
40Manufacture or treatment of nanostructures
C03B 19/1453
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
19Other methods of shaping glass
14by gas- ; or vapour-; phase reaction processes
1453Thermal after-treatment of the shaped article, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
C03B 20/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
20Processes specially adapted for the production of quartz or fused silica articles ; , not otherwise provided for
出願人
  • 旭硝子株式会社 Asahi Glass Company, Limited. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 宮坂 順子 MIYASAKA Junko [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 小池 章夫 KOIKE Akio [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 宮坂 順子 MIYASAKA Junko
  • 小池 章夫 KOIKE Akio
代理人
  • 小栗 昌平 OGURI Shohei
優先権情報
2010-15569108.07.2010JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) TIO2-CONTAINING QUARTZ GLASS SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) SUBSTRAT DE VERRE DE QUARTZ CONTENANT DU TIO2 ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION ASSOCIÉ
(JA) TiO含有石英ガラス基材およびその製造方法
要約
(EN)
Disclosed is a TiO2-containing quartz glass substrate, wherein the TiO2 concentration is 3-8 mass%, the OH concentration is not more than 50 mass ppm, and the internal transmittance (T365) per 1 mm thickness at a wavelength of 365 nm is at least 95%.
(FR)
L'invention concerne un substrat de verre de quartz contenant du TiO2, dans lequel la concentration de TiO2 est de 3 à 8% en masse, la concentration de OH n'est pas supérieure à 50 ppm en masse et le facteur de transmission interne (T365) pour 1 mm d'épaisseur, à une longueur d'onde de 365 nm, est d'au moins 95%.
(JA)
 本発明は、TiO濃度が3~8質量%であり、OH濃度が50質量ppm以下であり、波長365nmにおける厚さ1mmあたりの内部透過率T365が95%以上である、TiO含有石英ガラス基材に関する。
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