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1. (WO2012005300) 透明導電性フィルムおよびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/005300 国際出願番号: PCT/JP2011/065493
国際公開日: 12.01.2012 国際出願日: 06.07.2011
IPC:
C23C 14/08 (2006.01) ,B32B 9/00 (2006.01) ,C23C 14/58 (2006.01) ,H01B 13/00 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
08
酸化物
B 処理操作;運輸
32
積層体
B
積層体,すなわち平らなまたは平らでない形状,例.細胞状またはハニカム状,の層から組立てられた製品
9
本質的にグループ11/00~29/00に包含されない特殊な物質からなる積層体
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
58
後処理
H 電気
01
基本的電気素子
B
ケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
13
導体またはケーブルを製造するために特に使用する装置または方法
出願人:
日東電工株式会社 NITTO DENKO CORPORATION [JP/JP]; 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 1-1-2,Shimohozumi,Ibaraki-shi, Osaka 5678680, JP (AllExceptUS)
山▲崎▼ 由佳 YAMAZAKI, Yuka [JP/JP]; JP (UsOnly)
梨木 智剛 NASHIKI, Tomotake [JP/JP]; JP (UsOnly)
菅原 英男 SUGAWARA, Hideo [JP/JP]; JP (UsOnly)
待永 広宣 MACHINAGA, Hironobu [JP/JP]; JP (UsOnly)
佐々木 恵梨 SASAKI, Eri [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
山▲崎▼ 由佳 YAMAZAKI, Yuka; JP
梨木 智剛 NASHIKI, Tomotake; JP
菅原 英男 SUGAWARA, Hideo; JP
待永 広宣 MACHINAGA, Hironobu; JP
佐々木 恵梨 SASAKI, Eri; JP
代理人:
特許業務法人 ユニアス国際特許事務所 UNIUS PATENT ATTORNEYS OFFICE; 大阪府大阪市淀川区西中島5丁目13-9 新大阪MTビル1号館 SHIN-OSAKA MT Bldg. 1 13-9, Nishinakajima 5-chome Yodogawa-ku, Osaka-shi Osaka 5320011, JP
優先権情報:
2010-15421906.07.2010JP
2011-05045708.03.2011JP
発明の名称: (EN) TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 透明導電性フィルムおよびその製造方法
要約:
(EN) Disclosed is a method for manufacturing a long transparent conductive film comprising a crystalline iridium composite oxide film formed on a transparent film substrate. Said method includes: an amorphous laminate formation step in which an amorphous iridium complex oxide film that contains iridium and a tetravalent metal is formed on a long transparent film substrate by a sputtering method; and a crystallization step in which the long transparent film substrate on which the aforementioned amorphous film is formed is continuously fed into a furnace and the amorphous film is crystallized. The temperature of the furnace in the crystallization step is preferably 170-220°C, and the length of the film preferably changes by at most +2.5% in the crystallization step.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un long film conducteur transparent comprenant un film d'oxyde composite d'iridium cristallin formé sur un substrat de film transparent. Ledit procédé comprend une étape de formation d'un stratifié amorphe dans laquelle un film d'oxyde complexe d'iridium amorphe qui contient de l'iridium et un métal tétravalent est formé sur un long substrat de film transparent par un procédé de pulvérisation cathodique ; et une étape de cristallisation dans laquelle le long substrat de film transparent sur lequel est formé le film amorphe susmentionné est introduit en continu dans un four et le film amorphe est cristallisé. Lors de l'étape de cristallisation, la température du four est de préférence de 170-220 °C et la longueur du film varie de préférence au maximum de +2,5 %.
(JA) 本発明は、透明フィルム基材上に結晶質のインジウム系複合酸化物膜が形成された長尺状の透明導電性フィルムを製造することを目的とする。本発明の製造方法は、インジウムと4価金属とを含有するインジウム系複合酸化物の非晶質膜が、スパッタ法により前記長尺状透明フィルム基材上に形成される非晶質積層体形成工程、および前記非晶質膜が形成された長尺状透明フィルム基材が、加熱炉内に連続的に搬送され、前記非晶質膜が結晶化される結晶化工程、を有する。前記結晶化工程における加熱炉内の温度は170℃~220℃であることが好ましい。また、前記結晶化工程におけるフィルム長さの変化率は+2.5%以下であることが好ましい。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130149555CN102985585KR1020130025969KR1020150059798