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1. (WO2012005289) シリコンウェーハの研磨方法およびその研磨液
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/005289 国際出願番号: PCT/JP2011/065476
国際公開日: 12.01.2012 国際出願日: 06.07.2011
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,B24B 37/00 (2012.01) ,B24B 37/04 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37
ラッピング機械または装置;附属装置
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37
ラッピング機械または装置;附属装置
04
平面を加工するために設計されたもの
出願人:
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634, JP (AllExceptUS)
谷本 竜一 TANIMOTO Ryuichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
緒方 晋一 OGATA Shinichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
後藤 勇 GOTOU Isamu [JP/JP]; JP (UsOnly)
山下 健児 YAMASHITA Kenji [JP/JP]; JP (UsOnly)
浅利 昌弘 ASARI Masahiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
谷本 竜一 TANIMOTO Ryuichi; JP
緒方 晋一 OGATA Shinichi; JP
後藤 勇 GOTOU Isamu; JP
山下 健児 YAMASHITA Kenji; JP
浅利 昌弘 ASARI Masahiro; JP
代理人:
安倍 逸郎 ABE Itsurou; 福岡県北九州市小倉北区堺町1丁目9-6 コンプレート堺町ビル403号 安倍国際特許事務所 ABE International Patent Office, Complete Sakaimachi BLDG. 403, 9-6, Sakaimachi 1-chome, Kokurakita-ku, Kitakyushu-shi, Fukuoka 8020005, JP
優先権情報:
2010-15532908.07.2010JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR POLISHING SILICON WAFER, AND POLISHING SOLUTION FOR USE IN THE METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE POLISSAGE D'UNE TRANCHE DE SILICIUM ET SOLUTION DE POLISSAGE UTILISÉE DANS LEDIT PROCÉDÉ
(JA) シリコンウェーハの研磨方法およびその研磨液
要約:
(EN) A surface to be polished of a silicon wafer is roughly polished while supplying a polishing solution prepared by adding a water-soluble polymer to an aqueous alkaline solution of abrasive grains to a hard polishing cloth. Therefore, the polishing at a high polishing rate and the roll-off of the outer peripheral part of the wafer can be achieved simultaneously.
(FR) Une surface à polir d'une tranche de silicium est grossièrement polie en utilisant une solution de polissage préparée en ajoutant un polymère soluble dans l'eau à une solution alcaline aqueuse de grains abrasifs pour former une toile à polir dure. En conséquence, il est possible d'atteindre une vitesse de polissage élevée et d'effectuer simultanément l'élimination de la partie périphérique extérieure de la tranche.
(JA)  有砥粒のアルカリ性水溶液に水溶性高分子を添加した研磨液を、硬質の研磨布に供給しながらシリコンウェーハの被研磨面を粗研磨するので、高い研磨レートでの研磨とウェーハ外周部のロールオフとを同時に満足できる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130109180JPWO2012005289KR1020130000426