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1. (WO2012005252) 半導体発光素子およびランプ、電子機器、機械装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/005252 国際出願番号: PCT/JP2011/065385
国際公開日: 12.01.2012 国際出願日: 05.07.2011
IPC:
H01L 33/10 (2010.01) ,H01L 33/14 (2010.01) ,H01L 33/38 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
10
反射構造を有するもの,例.半導体ブラッグ反射鏡
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
14
電流制御構造を有するもの,例.高濃度ドープ半導体層,電流ブロック構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
36
電極に特徴があるもの
38
特定の形状
出願人:
豊田合成株式会社 TOYODA GOSEI CO., LTD. [JP/JP]; 愛知県清須市春日長畑1番地 1, Haruhinagahata, Kiyosu-shi, Aichi 4528564, JP (AllExceptUS)
篠原 裕直 SHINOHARA Hironao [JP/JP]; JP (UsOnly)
大庭 玲美 OHBA Remi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
篠原 裕直 SHINOHARA Hironao; JP
大庭 玲美 OHBA Remi; JP
代理人:
志賀 正武 SHIGA Masatake; 東京都千代田区丸の内一丁目9番2号 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku Tokyo 1006620, JP
優先権情報:
2010-15677309.07.2010JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, LAMP, ELECTRONIC DEVICE, AND MACHINE
(FR) ELÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR, LAMPE, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET MACHINE
(JA) 半導体発光素子およびランプ、電子機器、機械装置
要約:
(EN) Disclosed is a semiconductor light emitting element (1) which comprises: a semiconductor layer (10); an n-type electrode (18) that is formed on an exposed surface (12a) of an n-type semiconductor layer, said exposed surface (12a) being exposed by cutting away a part of the semiconductor layer (10); a transparent conductive film that is formed on the semiconductor layer (10); and a p-type electrode (17) that is formed on the transparent conductive film. The semiconductor light emitting element (1) is additionally provided with a light reflecting layer (39) arranged between the semiconductor layer (10) and the transparent conductive film, said light reflecting layer (39) at least partially overlapping the p-type electrode (17) when viewed in plan. The p-type electrode (17) is composed of a pad portion (P) and a linear portion (L) that extends linearly from the pad portion (P) and has a circular shape when viewed in plan. The n-type electrode (18) is arranged in a region surrounded by the linear portion (L) on a straight line (L1) that passes through the center (17a) of the pad portion (P) and the center (10a) of the semiconductor layer (10) when viewed in plan. The distance (D3) between the center (18a) of the n-type electrode (18) and the center (17a) of the pad portion (P) is not less than the distance (D4) between the center (17a) of the pad portion (P) and the center (10a) of the semiconductor layer (10).
(FR) L'invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur (1) comprenant : une couche semi-conductrice (10) ; une électrode de type n (18) formée sur une surface exposée (12a) d'une couche semi-conductrice de type n, ladite surface exposée (12a) étant exposée par enlèvement d'une partie de la couche semi-conductrice (10) ; un film conducteur transparent formé sur la couche semi-conductrice (10) ; et une électrode de type p (17) formée sur le film conducteur transparent. L'élément électroluminescent à semi-conducteur (1) est de plus muni d'une couche réfléchissant la lumière (39) agencée entre la couche semi-conductrice (10) et le film conducteur transparent, ladite couche réfléchissant la lumière (39) chevauchant au moins partiellement l'électrode de type p (17) vue en plan. L'électrode de type p (17) est constituée d'une partie plot (P) et d'une partie linéaire (L) qui s'étend linéairement à partir de la partie plot (P) et présente une forme circulaire vue en plan. L'électrode de type n (18) est agencée dans une zone entourée par la partie linéaire (L) sur une ligne droite (L1) qui passe par le centre (17a) de la partie plot (P) et par le centre (10a) de la couche semi-conductrice (1) vue en plan. La distance (D3) entre le centre (18a) de l'électrode de type n (18) et le centre (17a) de la partie plot (17) n'est pas inférieure à la distance (D4) entre le centre (17a) de la partie plot (17) et le centre (10a) de la couche semi-conductrice (10).
(JA)  半導体層(10)と、半導体層(10)の一部を切り欠くことにより露出されたn型半導体層の露出面(12a)上に設けられたn型電極(18)と、半導体層(10)上に設けられた透明導電膜と、透明導電膜上に設けられたp型電極(17)とを備え、半導体層(10)と透明導電膜との間に、平面視で少なくとも一部がp型電極(17)と重なり合う光反射層(39)が備えられ、p型電極(17)が、パッド部(P)と、パッド部(P)から線状に延在する平面視環状の線状部(L)とからなり、n型電極(18)が、平面視でパッド部(P)の中心(17a)と半導体層(10)の中心(10a)とを通る直線(L1)上であって、かつ線状部(L)に囲まれた内側の領域に配置され、n型電極(18)の中心(18a)とパッド部(P)の中心(17a)との間の距離(D3)が、パッド部(P)の中心(17a)と半導体層(10)の中心(10a)との距離(D4)以上である半導体発光素子(1)である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
Also published as:
US20130113012