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1. (WO2012005232) 荷電粒子ビーム装置、および試料作成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/005232 国際出願番号: PCT/JP2011/065324
国際公開日: 12.01.2012 国際出願日: 05.07.2011
IPC:
H01J 37/317 (2006.01) ,G01N 1/28 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
30
物体の局所的な処理のための電子ビームまたはイオンビーム管
317
物体の特性をかえるためのものまたはその上に薄層を形成するためのもの,例.イオン注入
G 物理学
01
測定;試験
N
材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
1
サンプリング;調査用標本の調製
28
調査用標本の調製
出願人:
株式会社日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西新橋一丁目24番14号 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717, JP (AllExceptUS)
南里光栄 NANRI Terutaka [JP/JP]; JP (UsOnly)
大西毅 ONISHI Tsuyoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
富松聡 TOMIMATSU Satoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
南里光栄 NANRI Terutaka; JP
大西毅 ONISHI Tsuyoshi; JP
富松聡 TOMIMATSU Satoshi; JP
代理人:
平木祐輔 HIRAKI Yusuke; 東京都港区愛宕2丁目5番1号 愛宕グリーンヒルズMORIタワー32階 Atago Green Hills MORI Tower 32F, 5-1, Atago 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1056232, JP
優先権情報:
2010-15487107.07.2010JP
発明の名称: (EN) CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE AND SAMPLE PRODUCTION METHOD
(FR) DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉCHANTILLON
(JA) 荷電粒子ビーム装置、および試料作成方法
要約:
(EN) Disclosed is a technology that can remove a minimum but sufficient amount of a damaged layer of a sample piece generated during FIB processing. Specifically disclosed is a charged particle beam device comprising: a first element ion beam optical device (110) that performs a first FIB processing that forms a sample piece from a sample; a second element ion beam optical device (120) that performs a second FIB processing that removes the damaged layer that has been formed on the surface of the sample piece; and a first element detector (140) for detecting a first element that exists in the damaged layer. The end of the second FIB processing is determined when the amount of the first element that exists in the damaged layer becomes lower than a predetermined threshold amount.
(FR) L'invention concerne une technique qui permet d'éliminer une quantité minimale mais suffisante d'une couche endommagée sur un morceau d'échantillon généré pendant un traitement FIB. L'invention concerne plus précisément un dispositif à faisceau de particules chargées comprenant : un dispositif optique à faisceau d'ions pour premier élément (110) qui effectue un premier traitement FIB formant un morceau d'échantillon à partir d'un échantillon; un dispositif optique à faisceau d'ions pour second élément (120) qui effectue un second traitement FIB afin d'éliminer la couche endommagée qui s'est formée sur la surface du morceau d'échantillon; et un premier détecteur d'élément (140) afin de détecter un premier élément qui existe dans la couche endommagée. La fin du second traitement FIB est déterminée lorsque la quantité du premier élément existant dans la couche endommagée devient inférieure à une quantité seuil prédéterminée.
(JA) FIB加工により生じた試料片のダメージ層を不足なくかつ最小限に除去することができる技術を提供する。荷電粒子ビーム装置は、試料から試料片を形成する第1のFIB加工を行う第1の元素イオビーム光学系装置(110)と、試料片の表面に形成されたダメージ層を除去する第2のFIB加工を行う第2の元素イオンビーム光学系装置(120)と、ダメージ層に存在する第1の元素を検出するための第1の元素検出器(140)と、を有する。ダメージ層に存在する第1の元素の量が所定の閾値より小さくなったとき、第2のFIB加工の終了を決定する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
Also published as:
US20130105302EP2592643