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1. (WO2012005215) 発光ダイオード用エピタキシャルウェーハ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/005215 国際出願番号: PCT/JP2011/065284
国際公開日: 12.01.2012 国際出願日: 04.07.2011
IPC:
H01L 33/30 (2010.01) ,H01L 33/12 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
26
発光領域の材料
30
III族およびV族元素のみを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
12
応力緩和構造を有するもの,例.バッファ層
出願人:
昭和電工株式会社 SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 東京都港区芝大門一丁目13番9号 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518, JP (AllExceptUS)
瀬尾 則善 SEO Noriyoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
松村 篤 MATSUMURA Atsushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
竹内 良一 TAKEUCHI Ryouichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
瀬尾 則善 SEO Noriyoshi; JP
松村 篤 MATSUMURA Atsushi; JP
竹内 良一 TAKEUCHI Ryouichi; JP
代理人:
志賀 正武 SHIGA Masatake; 東京都千代田区丸の内一丁目9番2号 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620, JP
優先権情報:
2010-15420206.07.2010JP
発明の名称: (EN) EPITAXIAL WAFER FOR LIGHT-EMITTING DIODES
(FR) TRANCHE ÉPITAXIALE POUR DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES
(JA) 発光ダイオード用エピタキシャルウェーハ
要約:
(EN) Disclosed is an epitaxial wafer for light-emitting diodes, wherein the peak light-emitting wavelength is 655 nm or more and it is possible to improve reliability. Specifically disclosed is an epitaxial wafer for light-emitting diodes which is provided with a GaAs substrate (1) and a pn-junction type light-emitting unit (2) disposed on the GaAs substrate (1), wherein the light-emitting unit (2) is formed as a laminate structure in which a distortion light emitting layer and a barrier layer are alternately laminated, and the compositional formula of the barrier layer is (AlxGa1-xYIn1-YP (0.3≤X≤0.7, 0.51≤Y≤0.54).る。
(FR) L'invention concerne une tranche épitaxiale pour diodes électroluminescentes, dans laquelle la longueur d'onde d'émission lumineuse de crête est supérieure ou égale à 655 nm, et dont la fiabilité est améliorée. L'invention concerne spécifiquement une tranche épitaxiale pour diodes électroluminescentes, qui comprend un substrat de GaAs (1) et une unité (2) électroluminescente du type à jonction pn, placée sur le substrat de GaAs (1). L'unité (2) électroluminescente est formée comme une structure stratifiée, dans laquelle une couche d'émission lumineuse de distorsion et une couche barrière sont stratifiées en alternance, la formule de composition de la couche barrière étant: (AlxGa1-xYIn1-YP(0,3≤X≤0,7, 0,51≤Y≤0,54).る。
(JA) ピーク発光波長が655nm以上で、かつ信頼性を向上させることが可能な発光ダイオード用エピタキシャルウェーハを提供する。GaAs基板(1)と、GaAs基板(1)上に設けられたpn接合型の発光部(2)と、を備えた発光ダイオード用エピタキシャルウェーハであって、発光部(2)は、歪発光層と、バリア層とが交互に積層された積層構造とされており、バリア層の組成式を(AlGa1-XIn1-YP(0.3≦X≦0.7、0.51≦Y≦0.54)とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130092901EP2592665CN102971871KR1020130023385