このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2012005184) 発光ダイオードの製造方法、切断方法及び発光ダイオード
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/005184 国際出願番号: PCT/JP2011/065175
国際公開日: 12.01.2012 国際出願日: 01.07.2011
IPC:
H01L 33/20 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
20
特定の形状を有するもの,例.湾曲または面取りされた基板
出願人:
昭和電工株式会社 SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 東京都港区芝大門一丁目13番9号 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518, JP (AllExceptUS)
松村 篤 MATSUMURA Atsushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
松村 篤 MATSUMURA Atsushi; JP
代理人:
志賀 正武 SHIGA Masatake; 東京都千代田区丸の内一丁目9番2号 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620, JP
優先権情報:
2010-15672109.07.2010JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING LIGHT-EMITTING DIODES, CUTTING METHOD, AND LIGHT-EMITTING DIODE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES, PROCÉDÉ DE COUPE ET DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
(JA) 発光ダイオードの製造方法、切断方法及び発光ダイオード
要約:
(EN) Disclosed are a method for producing light-emitting diodes and a cutting method with which adverse effects due to debris produced when laser cutting a metal substrate can be reduced, and with which defects such as dicing line misalignments caused by heat generated during cutting can be prevented. Also disclosed is a light-emitting diode. The method for producing light-emitting diodes comprises: a step for manufacturing a wafer provided with a metal substrate comprising a plurality of metal layers, and a compound semiconductor layer containing a light-emitting layer formed on said metal substrate; a step for removing part of the compound semiconductor layer on the intended cutting line by etching; a step for removing part of at least one of the plurality of metal layers on the laser irradiation surface side on the intended cutting line by etching; and a step for cutting the metal substrate by irradiating a laser along the part removed from the metal layer in a plan view.
(FR) L'invention concerne un procédé de production de diodes électroluminescentes et un procédé de coupe qui permettent de réduire les effets négatifs dus aux débris produits lors de la coupe au laser d'un substrat métallique, et d'éviter les défauts tels que des défauts d'alignement de la ligne de découpage en dés causés par la chaleur générée pendant la coupe. L'invention concerne également une diode électroluminescente. Le procédé de production de diodes électroluminescentes comprend les étapes suivantes : une étape qui consiste à fabriquer une tranche munie d'un substrat métallique comprenant une pluralité de couches métalliques et d'une couche semi-conductrice d'un composé contenant une couche électroluminescente, formée sur ledit substrat métallique ; une étape qui consiste à enlever par gravure une partie de la couche semi-conductrice de composé sur la ligne de coupe prévue ; une étape qui consiste à enlever par gravure une partie d'au moins une de la pluralité de couches métalliques du côté de la surface d'irradiation au laser sur la ligne de coupe prévue ; et une étape qui consiste à couper le substrat métallique par irradiation au laser le long de la partie enlevée de la couche métallique en vue en plan.
(JA) 金属基板のレーザー切断時に生成するデブリによる悪影響を低減できると共に、切断時に発生する熱に起因したダイシングラインのずれ等の不都合を防止できる発光ダイオードの製造方法、切断方法及び発光ダイオードが提供される。そのような発光ダイオードの製造方法は、複数の金属層からなる金属基板と、該金属基板上に形成された発光層を含む化合物半導体層とを備えたウェハを作製する工程と、前記化合物半導体層の切断予定ライン上の部分を、エッチングによって除去する工程と、前記複数の金属層のうちレーザー照射面側の少なくとも一層の、前記切断予定ライン上の部分を、エッチングによって除去する工程と、平面視して前記金属層の前記除去された部分に沿って、レーザーを照射して前記金属基板を切断する工程と、を有する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)