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1. (WO2012005073) 半導体装置、半導体パッケージ及びそれらの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/005073 国際出願番号: PCT/JP2011/063030
国際公開日: 12.01.2012 国際出願日: 07.06.2011
IPC:
H01L 21/60 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 23/52 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
60
動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP (AllExceptUS)
ルネサスエレクトロニクス株式会社 RENESAS ELECTRONICS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県川崎市中原区下沼部1753番地 1753, Shimonumabe, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118668, JP (AllExceptUS)
前田 晃 MAEDA, Akira; JP (UsOnly)
山田 朗 YAMADA, Akira; JP (UsOnly)
山崎 浩次 YAMAZAKI, Koji; JP (UsOnly)
堀部 裕史 HORIBE, Hiroshi; JP (UsOnly)
広瀬 哲也 HIROSE, Tetsuya; JP (UsOnly)
発明者:
前田 晃 MAEDA, Akira; JP
山田 朗 YAMADA, Akira; JP
山崎 浩次 YAMAZAKI, Koji; JP
堀部 裕史 HORIBE, Hiroshi; JP
広瀬 哲也 HIROSE, Tetsuya; JP
代理人:
特許業務法人深見特許事務所 Fukami Patent Office, p.c.; 大阪府大阪市北区中之島二丁目2番7号 中之島セントラルタワー Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2010-15571508.07.2010JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR PACKAGE, AND METHOD FOR PRODUCING EACH
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, BOÎTIER SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DUDIT DISPOSITIF ET DUDIT BOÎTIER
(JA) 半導体装置、半導体パッケージ及びそれらの製造方法
要約:
(EN) Disclosed is a semiconductor device having an electrode (bonding pad) wherein a Cu wire bond join is possible having favorable initial bondability and high reliability. Further disclosed are a semiconductor package, and a method for producing each. The semiconductor device is provided with: an active element; an electrode (8) that has aluminum as the primary component and that is electrically connected to the abovementioned active element; and a stress relaxation membrane (6) that is disposed only in the center region of the abovementioned electrode (8) and that has mechanical strength that is at least that of copper. As a result, it is possible to reduce damage to the active element when bonding, and it is possible to favorably join a Cu wire, which is the bonding wire, to the electrode, which is the bonding pad.
(FR) L'invention concerne un dispositif semi-conducteur comportant une électrode (plot de liaison), une liaison à fil Cu étant possible avec une aptitude à la liaison initiale favorable et une fiabilité élevée. L'invention concerne par ailleurs un boîtier semi-conducteur et un procédé de production dudit dispositif et dudit boîtier. Le dispositif semi-conducteur comprend : un élément actif ; une électrode (8) dont le principal constituant est de l'aluminium et qui est connectée électriquement audit élément actif ; et une membrane de relaxation des contraintes (6) qui n'est placée que dans la région centrale de ladite électrode (8) et qui présente une résistance mécanique inférieure à celle du cuivre. En conséquence, il est possible de réduire l'endommagement de l'élément actif lors de la liaison et il est possible de joindre dans des conditions favorables un fil Cu, qui est le fil de liaison, à l'électrode, qui est le plot de liaison.
(JA)  良好な初期接合性と、高い信頼性とを有するCuワイヤボンド接合が可能な電極(ボンディングパッド)を有する半導体装置、半導体パッケージ及びそれらの製造方法が得られる。半導体装置は、能動素子と、上記能動素子と電気的に接続されたアルミニウムを主成分とする電極(8)と、上記電極(8)の中央部のみに配置され、機械的強度が銅以上の応力緩和膜(6)とを備える。このようにすれば、ボンディングの際の能動素子へのダメージを少なくすることができ、ボンディングワイヤであるCuワイヤとボンディングパッドである電極との良好な接合をすることができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
Also published as:
JPWO2012005073