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1. (WO2012005014) 固体撮像装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/005014 国際出願番号: PCT/JP2011/003948
国際公開日: 12.01.2012 国際出願日: 08.07.2011
IPC:
H01L 27/146 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
出願人:
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
松長 誠之 MATSUNAGA, Yoshiyuki; null (UsOnly)
発明者:
松長 誠之 MATSUNAGA, Yoshiyuki; null
代理人:
新居 広守 NII, Hiromori; 大阪府大阪市淀川区西中島5丁目3番10号タナカ・イトーピア新大阪ビル6階新居国際特許事務所内 c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011, JP
優先権情報:
2010-15728909.07.2010JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 固体撮像装置
要約:
(EN) Provided is a laminated solid-state imaging device that is capable of minimizing mixed signals between unit pixel cells due to electrical capacitive coupling. A unit pixel cell (13) comprises: a photoelectric conversion layer (6) and a pixel electrode (5) formed on a silicon substrate (1); an amplifying transistor (10) that is formed inside the silicon substrate (1), and outputs a signal voltage based on the potential of the pixel electrode (5); and a reset transistor (11) that is formed inside the silicon substrate (1), and resets the potential of a gate electrode (3) of the amplifying transistor (10). The solid-state imaging device is provided with: vertical signal lines (17) that are disposed so as to correspond to columns of unit pixel cells (13), and transmit the signal voltages of the corresponding column of unit pixel cells (13); and a vertical scanning unit (15) that selects rows of unit pixel cells (13) to output signal voltages to the vertical signal lines (17). Each vertical signal line (17) is positioned below the pixel electrodes (5) of the unit pixel cells (13) corresponding to the vertical signal line (17).
(FR) L'invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteur stratifié qui permet de réduire au minimum les signaux mixtes entre des cellules de pixels unitaires grâce à un couplage électrique capacitif. Une cellule de pixels unitaires (13) comprend : une couche de conversion photoélectrique (6) et une électrode de pixel (5) formées sur un substrat en silicium (1) ; un transistor d'amplification (10) qui est formé à l'intérieur du substrat de silicium (1) et qui émet une tension de signal basée sur le potentiel de l'électrode de pixel (5) ; et un transistor de remise à zéro (11) qui est formé à l'intérieur du substrat de silicium (1) et qui remet à zéro le potentiel d'une électrode de grille (3) du transistor d'amplification (10). Le dispositif d'imagerie à semi-conducteur présente : des lignes de signal verticales (17) qui sont agencées de manière à correspondre aux colonnes de cellules de pixels (13) ; et une unité de balayage verticale (15) qui sélectionne des rangées de cellules de pixels unitaires (13) pour émettre les tensions de signal vers les lignes de signal verticales (17). Chaque ligne de signal verticale (17) est placée au-dessous des électrodes de pixel (5) des cellules de pixels unitaires (13) correspondant à la ligne de signal verticale (17).
(JA)  本発明は、電気的容量結合による単位画素セル間の信号混合を抑えることが可能な積層型の固体撮像装置を提供することを目的とする。単位画素セル(13)は、シリコン基板(1)上に形成された光電変換膜(6)及び画素電極(5)と、シリコン基板(1)内に形成され、画素電極(5)の電位に応じた信号電圧を出力する増幅トランジスタ(10)と、シリコン基板(1)内に形成され、増幅トランジスタ(10)のゲート電極(3)の電位をリセットするリセットトランジスタ(11)とを有し、固体撮像装置は、単位画素セル(13)の列に対応して設けられ、対応する列の単位画素セル(13)の信号電圧を伝達する垂直信号線(17)と、垂直信号線(17)に信号電圧を出力させる単位画素セル(13)の行を選択する垂直走査部(15)とを備え、垂直信号線(17)はそれに対応する単位画素セル(13)の画素電極(5)の下方に位置する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)