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1. (WO2012005011) 固体撮像装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/005011 国際出願番号: PCT/JP2011/003940
国際公開日: 12.01.2012 国際出願日: 08.07.2011
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/363 (2011.01) ,H04N 5/365 (2011.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
357
ノイズ処理に特徴のあるもの,例.ノイズの検出,補正,低減,除去
363
リセットノイズに対して適用されるもの,例.KTCノイズ
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
357
ノイズ処理に特徴のあるもの,例.ノイズの検出,補正,低減,除去
365
固定パターンノイズに対して適用されるもの,例.応答の非均一性
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374
アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
出願人:
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
鎗野 真 YARINO, Makoto; null (UsOnly)
山本 孝大 YAMAMOTO, Takahiro; null (UsOnly)
松長 誠之 MATSUNAGA, Yoshiyuki; null (UsOnly)
発明者:
鎗野 真 YARINO, Makoto; null
山本 孝大 YAMAMOTO, Takahiro; null
松長 誠之 MATSUNAGA, Yoshiyuki; null
代理人:
新居 広守 NII, Hiromori; 大阪府大阪市淀川区西中島5丁目3番10号タナカ・イトーピア新大阪ビル6階新居国際特許事務所内 c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011, JP
優先権情報:
2010-15729209.07.2010JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像装置
要約:
(EN) Provided is a solid-state imaging device for suppressing noise. A pixel (11) is provided with a reset transistor (117), a selection transistor (115), an amplifier transistor (113), and a photoelectric conversion unit (111), wherein: the photoelectric conversion unit (111) is provided with a photoelectric conversion film (45) for performing photoelectric conversion, a pixel electrode (46) formed on the surface of the photoelectric conversion film (45) on the side of a semiconductor substrate (31), and a transparent electrode (47) formed on the surface of the photoelectric conversion film (45) on the opposite side from the pixel electrode (46); and the amplitude of the column reset signal applied to the gate of the reset transistor (117) is at least smaller than (a) the maximum voltage applied to the drain of the amplifier transistor (113), (b) the maximum voltage applied to the gate of the selection transistor (115), (c) the source voltage applied to an inversion amplifier (23), or (d) the maximum voltage applied to the transparent electrode.
(FR) L'invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs destiné à supprimer le bruit. Chaque pixel (11) comporte un transistor de réinitialisation (117), un transistor de sélection (115), un transistor d'amplification (113) et une unité de conversion photoélectrique (111). Ladite unité de conversion photoélectrique (111) comprend un film de conversion photoélectrique (45), une électrode de pixel (46) formée sur la surface du film de conversion photoélectrique (45) du côté d'un substrat semi-conducteur (31), et une électrode transparente (47) formée sur la surface du film de conversion photoélectrique (45) du côté opposé à l'électrode de pixel (46). L'amplitude du signal de réinitialisation de colonne appliqué à la grille du transistor de réinitialisation (117) est au moins aussi faible que (a) la tension maximale appliquée au drain du transistor d'amplification (113), (b) la tension maximale appliquée à la grille du transistor de sélection (115), (c) la tension de source appliquée à un amplificateur d'inversion (23), ou (d) la tension maximale appliquée à l'électrode transparente.
(JA)  本発明は、ノイズを抑制する固体撮像装置を提供することを目的とする。画素(11)は、リセットトランジスタ(117)、選択トランジスタ(115)、増幅トランジスタ(113)、および光電変換部(111)を有し、光電変換部(111)は、光電変換する光電変換膜(45)と、光電変換膜(45)の半導体基板(31)側の面に形成された画素電極(46)と、光電変換膜(45)の画素電極(46)と反対側の面に形成された透明電極(47)とを有し、リセットトランジスタ(117)のゲートに印加される行リセット信号の振幅は、(a)増幅トランジスタ(113)のドレインに印加される最大電圧、(b)選択トランジスタ(115)のゲートに印加される最大電圧、(c)反転増幅器(23)に印加される電源電圧、および(d)透明電極に印加される最大電圧の少なくとも1つよりも小さい。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)