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1. (WO2012005010) 固体撮像装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/005010 国際出願番号: PCT/JP2011/003937
国際公開日: 12.01.2012 国際出願日: 08.07.2011
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374
アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
出願人:
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
松長 誠之 MATSUNAGA, Yoshiyuki; null (UsOnly)
発明者:
松長 誠之 MATSUNAGA, Yoshiyuki; null
代理人:
新居 広守 NII, Hiromori; 大阪府大阪市淀川区西中島5丁目3番10号タナカ・イトーピア新大阪ビル6階新居国際特許事務所内 c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011, JP
優先権情報:
2010-15729309.07.2010JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 固体撮像装置
要約:
(EN) Disclosed is a compact, laminated solid-state imaging device. A unit pixel cell (13) comprises: a photoelectric conversion layer (6) formed on a semiconductor substrate; a pixel electrode (5) that is formed on the semiconductor substrate, and comes into contact with the photoelectric conversion layer (6); an amplifying transistor (10) that is formed inside the semiconductor substrate, and outputs a signal voltage based on the potential of the pixel electrode (5); a reset transistor (11) that is formed inside the semiconductor substrate, and resets the potential of a gate electrode of the amplifying transistor (10); and an address resistor (12) that is formed inside the semiconductor substrate, that is disposed between the amplifying resistor (10) and a vertical signal line (17), and forces the unit pixel cell (13) to output the signal voltage to the vertical signal line (17). A gate electrode of the reset transistor (11) and a gate electrode of the address resistor (12) are electrically connected.
(FR) L'invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteur stratifié compact. Une cellule de pixels unitaires (13) comprend : une couche de conversion photoélectrique (6) qui est formée sur un substrat semi-conducteur ; une électrode de pixel (5) qui est formée sur le substrat semi-conducteur et entre en contact avec la couche de conversion photoélectrique (6) ; un transistor d'amplification (10) qui est formé à l'intérieur du substrat semi-conducteur et qui émet une tension de signal basée sur le potentiel de l'électrode de pixel (5) ; un transistor de remise à zéro (11) qui est formé à l'intérieur du substrat semi-conducteur et qui remet à zéro le potentiel d'une électrode de grille du transistor d'amplification (10) ; et une résistance d'adressage (12) qui est formée à l'intérieur du substrat semi-conducteur et disposée entre le transistor d'amplification (10) et une ligne de signaux verticale (17), et qui force la cellule de pixels unitaires (13) à émettre la tension de signal vers la ligne de signaux verticale (17). Une électrode de grille du transistor de remise à zéro (11) et une électrode de grille de la résistance d'adressage (12) sont connectées électriquement.
(JA)  本発明は、小型の積層型の固体撮像装置を提供することを目的とするものである。単位画素セル(13)は、半導体基板上に形成された光電変換膜(6)と、半導体基板上に形成され、光電変換膜(6)と接する画素電極(5)と、半導体基板内に形成されたトランジスタであって、画素電極(5)の電位に応じた信号電圧を出力する増幅トランジスタ(10)と、半導体基板内に形成されたトランジスタであって、増幅トランジスタ(10)のゲート電極の電位をリセットするリセットトランジスタ(11)と、半導体基板内に形成されたトランジスタであって、増幅トランジスタ(10)と垂直信号線(17)との間に設けられ、単位画素セル(13)から垂直信号線(17)に信号電圧を出力させるアドレストランジスタ(12)とを有し、リセットトランジスタ(11)のゲート電極とアドレストランジスタ(12)のゲート電極とが電気的に結合されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)