このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2012004996) 拡散剤組成物および不純物拡散層の形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/004996 国際出願番号: PCT/JP2011/003880
国際公開日: 12.01.2012 国際出願日: 06.07.2011
IPC:
H01L 21/225 (2006.01) ,H01L 31/04 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
22
半導体本体へのまたは半導体本体からのまたは半導体領域間の不純物材料,例.ドーピング材料,電極材料,の拡散;不純物材料の再分布,例.さらなるドーパントの導入または除去をしないもの
225
固相,例.ドープされた酸化物層,から固体へのまたは固体から固相への拡散を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
出願人:
東京応化工業株式会社 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 150 Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012, JP (AllExceptUS)
森田 敏郎 MORITA, Toshiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
神園 喬 KAMIZONO, Takashi [JP/JP]; JP (UsOnly)
宮城 忠 MIYAGI, Tadashi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
森田 敏郎 MORITA, Toshiro; JP
神園 喬 KAMIZONO, Takashi; JP
宮城 忠 MIYAGI, Tadashi; JP
代理人:
森下 賢樹 MORISHITA, Sakaki; 東京都渋谷区恵比寿西2-11-12 2-11-12, Ebisu-Nishi, Shibuya-ku, Tokyo 1500021, JP
優先権情報:
2010-15716709.07.2010JP
発明の名称: (EN) DIFFUSING AGENT COMPOSITION AND METHOD OF FORMING IMPURITY DIFFUSION LAYER
(FR) COMPOSITION D'AGENTS DE DIFFUSION ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE COUCHE DE DIFFUSION D'IMPURETÉS
(JA) 拡散剤組成物および不純物拡散層の形成方法
要約:
(EN) A certain embodiment of the present invention is a diffusing agent composition used for printing a dopant component on a semiconductor substrate. Said diffusing agent composition comprises a silicon compound (A), a dopant component (B), and a non-dopant metallic component (C). Among these components, the content of Na included as the non-dopant metallic compound (C) is less than 60 ppb with respect to the entire compound.
(FR) Un certain mode de réalisation de la présente invention porte sur une composition d'agents de diffusion, laquelle composition est utilisée pour imprimer un composant de dopant sur un substrat à semi-conducteur. Ladite composition d'agents de diffusion comprend un composé de silicium (A), un composant dopant (B) et un composant métallique non-dopant (C). Parmi ces composants, la teneur en Na inclut comme composé métallique non-dopant (C) est inférieure à 60 parties par milliard vis-à-vis de la totalité du composé.
(JA)  本発明のある態様は、半導体基板へのドーパント成分の印刷に用いられる拡散剤組成物であって、ケイ素化合物(A)と、ドーパント成分(B)と、非ドーパント金属成分(C)とを含む。これらの成分のうち、非ドーパント金属成分(C)として含まれるNaの含有量が組成物全体に対して60ppb未満である。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130109123CN102986004KR1020130086209