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1. (WO2012004940) 固体撮像装置およびその駆動方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/004940 国際出願番号: PCT/JP2011/003490
国際公開日: 12.01.2012 国際出願日: 17.06.2011
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/363 (2011.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
357
ノイズ処理に特徴のあるもの,例.ノイズの検出,補正,低減,除去
363
リセットノイズに対して適用されるもの,例.KTCノイズ
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374
アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
出願人:
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
山本 孝大 YAMAMOTO, Takahiro; null (UsOnly)
鎗野 真 YARINO, Makoto; null (UsOnly)
松長 誠之 MATSUNAGA, Yoshiyuki; null (UsOnly)
発明者:
山本 孝大 YAMAMOTO, Takahiro; null
鎗野 真 YARINO, Makoto; null
松長 誠之 MATSUNAGA, Yoshiyuki; null
代理人:
新居 広守 NII, Hiromori; 大阪府大阪市淀川区西中島5丁目3番10号タナカ・イトーピア新大阪ビル6階新居国際特許事務所内 c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011, JP
優先権情報:
2010-15729009.07.2010JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE, AND METHOD FOR DRIVING SAME
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE COMMANDE
(JA) 固体撮像装置およびその駆動方法
要約:
(EN) Disclosed is a solid-state imaging device provided with a semiconductor substrate (31), a plurality of pixels (11) arranged in a matrix of rows and columns on the semiconductor substrate, row signal lines (141) formed for each row, an inversion amplifier (23) connected to the row signal lines, and a feedback line (126) disposed for each row for the purpose of feeding back the output signal of the inversion amplifier (23) to the pixels (11) on the corresponding rows, wherein an amplifier transistor (113) is provided with a gate connected to a pixel electrode (46), a signal voltage is outputted to the row signal lines (141) via a selection transistor (115) in accordance with the potential of the pixel electrode (46), the source or the drain of a reset transistor (117) is connected to the pixel electrode (46), and the source or drain, whichever is not connected to the pixel electrode, is connected to the corresponding feedback line (126).
(FR) L'invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs comportant un substrat semi-conducteur (31), une pluralité de pixels (11) disposés dans une matrice de rangées et de colonnes sur le substrat semi-conducteur (31), des lignes de signal de rangées (141) formées pour chaque rangée, un amplificateur d'inversion (23) relié aux lignes de signal de rangée, et une ligne de rétroaction (126) disposée pour chaque rangée dans le but de ramener le signal de sortie de l'amplificateur d'inversion (23) aux pixels (11) sur les rangées correspondantes. Dans ledit dispositif, un transistor d'amplification (113) est équipé d'une grille reliée à une électrode de pixel (46), un signal de tension est transmis aux lignes de signal de rangée (141) par le biais d'un transistor de sélection (115) en fonction du potentiel de l'électrode de pixel (46), la source ou le drain d'un transistor de réinitialisation (117) est relié à l'électrode de pixel (46), et la source ou le drain qui n'est pas relié à l'électrode de pixel est relié à la ligne de rétroaction (126) correspondante.
(JA) 本発明の固体撮像装置は、半導体基板(31)と、半導体基板に行列状に配置された複数の画素(11)と、列毎に形成された列信号線(141)と、列信号線に接続された反転増幅器(23)と、反転増幅器(23)の出力信号を対応する列の画素(11)にフィードバックするために列毎に設けられたフィードバック線(126)とを備え、増幅トランジスタ(113)は、画素電極(46)に接続されたゲートを有し、画素電極(46)の電位に応じた信号電圧を、選択トランジスタ(115)を介して列信号線(141)に出力し、リセットトランジスタ(117)のソースおよびドレインの一方は画素電極(46)に接続され、ソースおよびドレインの他方は対応するフィードバック線(126)に接続されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)