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1. (WO2012004913) 放射線検出器およびそれを製造する方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/004913 国際出願番号: PCT/JP2011/002002
国際公開日: 12.01.2012 国際出願日: 04.04.2011
IPC:
G01T 1/24 (2006.01) ,H01L 31/09 (2006.01)
G 物理学
01
測定;試験
T
原子核放射線またはX線の測定
1
X線,ガンマ線,微粒子線または宇宙線の測定
16
放射線強度の測定
24
半導体検出器をもつもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08
輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
09
赤外線,可視光線または紫外線の放射に感応する装置
出願人:
株式会社島津製作所 SHIMADZU CORPORATION [JP/JP]; 京都府京都市中京区西ノ京桑原町1番地 1, Nishinokyo-Kuwabaracho, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6048511, JP (AllExceptUS)
徳田 敏 TOKUDA, Satoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
田邊 晃一 TANABE, Koichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
吉牟田 利典 YOSHIMUTA, Toshinori [JP/JP]; JP (UsOnly)
岸原 弘之 KISHIHARA, Hiroyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
貝野 正知 KAINO, Masatomo [JP/JP]; JP (UsOnly)
吉松 聖菜 YOSHIMATSU, Akina [JP/JP]; JP (UsOnly)
佐藤 敏幸 SATO, Toshiyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
桑原 章二 KUWABARA, Shoji [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
徳田 敏 TOKUDA, Satoshi; JP
田邊 晃一 TANABE, Koichi; JP
吉牟田 利典 YOSHIMUTA, Toshinori; JP
岸原 弘之 KISHIHARA, Hiroyuki; JP
貝野 正知 KAINO, Masatomo; JP
吉松 聖菜 YOSHIMATSU, Akina; JP
佐藤 敏幸 SATO, Toshiyuki; JP
桑原 章二 KUWABARA, Shoji; JP
代理人:
杉谷 勉 SUGITANI, Tsutomu; 大阪府大阪市北区西天満1丁目10番8号 西天満第11松屋ビル Nishitenma No.11 Matsuya Bldg., 10-8, Nishitenma 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047, JP
優先権情報:
2010-15405006.07.2010JP
発明の名称: (EN) RADIATION DETECTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 放射線検出器およびそれを製造する方法
要約:
(EN) The disclosed radiation detector has a radiation-sensitive detection layer provided on a substrate. Said detection layer is a polycrystalline film with an average grain size less than or equal to a pixel pitch. A polycrystalline film comprising for example CdZnTe (cadmium zinc telluride) is formed (CdZnTe film (A)) and actively doped with chlorine at a film chlorine concentration within the range 1-10 ppm (wt), or preferably, 3.1 ppm (wt). The use of a detection layer that is a polycrystalline film with an average grain size less than or equal to the pixel pitch allows the disclosed radiation detector to acquire images that have good inter-pixel characteristics (spatial resolution, sensitivity, and the like). Also, temporal fluctuations are decreased in size, improving detection characteristics related to response characteristics. As a result, detection characteristics are improved.
(FR) L'invention concerne un détecteur de rayonnement comprenant une couche de détection sensible au rayonnement disposée sur un substrat. Ladite couche de détection est un film polycristallin ayant une taille moyenne de grain inférieure ou égale au pas de pixel. Un film polycristallin comprenant par exemple du CdZnTe (tellurure de cadmium-zinc) est formé (film de CdZnTe (A)) et est dopé activement par du chlore à une concentration en chlore du film dans la gamme de 1 à 10 ppm (en poids) ou, de préférence, de 3,1 ppm (en poids). L'utilisation d'une couche de détection constituée par un film polycristallin ayant une taille moyenne de grain inférieure ou égale au pas de pixel permet au détecteur de rayonnement décrit d'acquérir des images présentant de bonnes caractéristiques inter-pixels (résolution spatiale, sensibilité, etc.). Par ailleurs, les fluctuations temporelles sont réduites, cela améliorant les caractéristiques de détection associées aux caractéristiques de réponse. Il en résulte que les caractéristiques de détection sont améliorées.
(JA)  放射線に感応する検出層を基板に備えた放射線検出器であって、平均粒径が画素ピッチ以下の多結晶膜を検出層として形成する。膜Cl濃度が1wtppm~10wtppmの範囲で、より好ましくは3.1wtppmでCl(塩素)を積極的にドープして、例えばCdZnTe(テルル化カドミウム亜鉛)からなる多結晶膜を形成する(CdZnTe膜A)。平均粒径が画素ピッチ以下の多結晶膜を検出層として形成するので、画素間の特性(空間分解能、感度等)の良好な画像を放射線検出器にて得ることができる。また、時間的な揺らぎも小さくなり応答特性に関する検出特性も向上させることができる。その結果、検出特性を向上させることができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)