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1. (WO2012004908) 放射線検出器の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/004908 国際出願番号: PCT/JP2011/000733
国際公開日: 12.01.2012 国際出願日: 09.02.2011
IPC:
H01L 31/09 (2006.01) ,G01T 1/24 (2006.01) ,H01L 27/14 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08
輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
09
赤外線,可視光線または紫外線の放射に感応する装置
G 物理学
01
測定;試験
T
原子核放射線またはX線の測定
1
X線,ガンマ線,微粒子線または宇宙線の測定
16
放射線強度の測定
24
半導体検出器をもつもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
出願人:
株式会社島津製作所 SHIMADZU CORPORATION [JP/JP]; 京都府京都市中京区西ノ京桑原町1番地 1, Nishinokyo-Kuwabaracho, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6048511, JP (AllExceptUS)
独立行政法人国立高等専門学校機構 Institute of National Colleges of Technology, Japan [JP/JP]; 東京都八王子市東浅川町701番2 701-2, Higashiasakawamachi, Hachioji-shi, Tokyo 1930834, JP (AllExceptUS)
徳田 敏 TOKUDA, Satoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
田邊 晃一 TANABE, Koichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
吉牟田 利典 YOSHIMUTA, Toshinori [JP/JP]; JP (UsOnly)
岸原 弘之 KISHIHARA, Hiroyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
貝野 正知 KAINO, Masatomo [JP/JP]; JP (UsOnly)
吉松 聖菜 YOSHIMATSU, Akina [JP/JP]; JP (UsOnly)
佐藤 敏幸 SATO, Toshiyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
桑原 章二 KUWABARA, Shoji [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
徳田 敏 TOKUDA, Satoshi; JP
田邊 晃一 TANABE, Koichi; JP
吉牟田 利典 YOSHIMUTA, Toshinori; JP
岸原 弘之 KISHIHARA, Hiroyuki; JP
貝野 正知 KAINO, Masatomo; JP
吉松 聖菜 YOSHIMATSU, Akina; JP
佐藤 敏幸 SATO, Toshiyuki; JP
桑原 章二 KUWABARA, Shoji; JP
代理人:
杉谷 勉 SUGITANI, Tsutomu; 大阪府大阪市北区西天満1丁目10番8号 西天満第11松屋ビル Nishitenma No.11 Matsuya Bldg., 10-8, Nishitenma 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047, JP
優先権情報:
2010-15404906.07.2010JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING A RADIATION DETECTOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT
(JA) 放射線検出器の製造方法
要約:
(EN) In the disclosed method for manufacturing a radiation detector, even if chlorine stops being supplied in the middle of a first process in which a detection layer comprising a polycrystalline film or a polycrystalline layered film is formed by deposition or sublimation, an additional source (a chlorine-containing gas such as hydrogen chloride) separate from a source S is supplied at the beginning of or in the middle of the first step. This makes it possible to dope the detection layer with chlorine uniformly in the thickness direction from the beginning of the film-forming process to the end thereof, said detection layer being a CdTe (cadmium telluride), ZnTe (zinc telluride), or CdZnTe (cadmium zinc telluride) polycrystal or polycrystalline layered film. As a result, crystal grains can be made uniform and detection characteristics can be made uniform.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un détecteur de rayonnement dans lequel, même si l'alimentation en chlore depuis une source S s'arrête au milieu d'une première étape consistant à former une couche de détection comprenant un film polycristallin ou un film stratifié polycristallin par dépôt ou sublimation, une source supplémentaire (gaz contenant du chlore tel que du chlorure d'hydrogène) distincte de la source S fournit du chlore au début ou au milieu de la première étape. Cela permet de doper la couche de détection avec du chlore de façon uniforme à travers l'épaisseur du début à la fin du procédé de formation du film. Ladite couche de détection est un film polycristallin ou un film stratifié polycristallin de tellurure de cadmium (CdTe), tellurure de zinc (ZnTe) ou tellurure de cadmium et de zinc (CdZnTe). Ledit procédé permet de former des grains cristallins uniformes et d'obtenir des caractéristiques de détection uniformes.
(JA)  蒸着または昇華により多結晶膜または多結晶の積層膜で構成される検出層が形成される第1過程の途中でCl(塩素)が供給されなくなったとしても、ソースSとは別の付加ソース(例えばHClのCl含有ガス)を第1過程の開始あるいは過程の途中で供給する。CdTe(テルル化カドミウム)、ZnTe(テルル化亜鉛)またはCdZnTe(テルル化カドミウム亜鉛)の多結晶または多結晶の積層膜である検出層に成膜の初期から終了時まで厚み方向にClを均一にドープすることができる。その結果、結晶粒を均一化するとともに、検出特性を均一化することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130115731JPWO2012004908KR1020130059392CN103081127