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1. (WO2012004903) レーザアニール処理装置およびレーザアニール処理方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/004903 国際出願番号: PCT/JP2010/066178
国際公開日: 12.01.2012 国際出願日: 17.09.2010
IPC:
H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/268 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26
波または粒子の輻射線の照射
263
高エネルギーの輻射線を有するもの
268
電磁波,例.レーザ光線,を用いるもの
出願人:
株式会社日本製鋼所 THE JAPAN STEEL WORKS,LTD. [JP/JP]; 東京都品川区大崎一丁目11番1号 11-1, Osaki 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410032, JP (AllExceptUS)
次田 純一 SHIDA Junichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
鄭 石煥 CHUNG Sughwan [KR/JP]; JP (UsOnly)
町田 政志 MACHIDA Masashi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
次田 純一 SHIDA Junichi; JP
鄭 石煥 CHUNG Sughwan; JP
町田 政志 MACHIDA Masashi; JP
代理人:
横井 幸喜 YOKOI Koki; 東京都港区三田3丁目4番11号三田3丁目ビル2階 2nd Floor, Mita 3chome BLDG., 4-11, Mita 3-chome,Minato-ku, Tokyo 1080073, JP
優先権情報:
2010-15298805.07.2010JP
発明の名称: (EN) LASER ANNEALING DEVICE AND LASER ANNEALING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE RECUIT AU LASER ET PROCÉDÉ DE RECUIT AU LASER
(JA) レーザアニール処理装置およびレーザアニール処理方法
要約:
(EN) Provided is a pulsed laser annealing device that allows greater margins in pulsed energy density when annealing semiconductor films by projecting pulsed laser light thereon, without increasing the appropriate pulsed energy density. The pulsed laser annealing device comprises a laser light source that outputs a pulsed laser light, an optical assembly that shapes and guides the pulsed laser light to a semiconductor film to be processed, and a stage whereupon the semiconductor film to which the pulsed laser light is projected is mounted. The pulsed laser light that is projected on the semiconductor film is set so that the rising time for the pulsed energy density to reach the maximum from 10% of the maximum is less than or equal to 35ns, and the falling time for the pulsed energy to reach 10% of the maximum from the maximum is greater than or equal to 80ns. Thus, the device carries out quality annealing, increasing the margin without significantly increasing the pulsed energy density that is appropriate to crystallization, and without causing declines in throughput.
(FR) L'invention concerne un dispositif de recuit au laser pulsé qui offre de plus grandes marges de densité d'énergie pulsée lors du recuit de films semi-conducteurs par projection de lumière laser pulsée, sans augmentation de la densité d'énergie pulsée appropriée. Ledit dispositif de recuit au laser pulsé comprend une source de lumière laser qui émet une lumière laser pulsée, un ensemble optique qui met en forme et guide la lumière pulsée en direction d'un film semi-conducteur à traiter, et un plateau sur lequel est monté le film semi-conducteur vers lequel est projetée la lumière laser pulsée. La lumière laser pulsée qui est projetée sur le film semi-conducteur est ajustée pour que le temps de montée pour que la densité d'énergie pulsée atteigne le maximum à partir de 10 % du maximum soit inférieur ou égal à 35 ns, et pour que le temps de descente pour que l'énergie pulsée atteigne 10 % du maximum à partir du maximum soit supérieur ou égal à 80 ns. Le dispositif assure ainsi un recuit de qualité, une augmentation de la marge sans augmentation de la densité d'énergie pulsée appropriée pour la cristallisation, et ce sans baisse du rendement.
(JA) 半導体膜のパルスレーザ光を照射してアニールする際に、適正なパルスエネルギー密度を高くすることなく該パルスエネルギー密度のマージンを大きくすることを可能にする。 パルスレーザ光を出力するレーザ光源と、パルスレーザ光を整形して処理対象の半導体膜に導く光学系と、パルスレーザ光が照射される前記半導体膜を設置するステージとを有し、前記半導体膜に照射される前記パルスレーザ光が、パルスエネルギー密度で最大高さの10%から最大高さに至るまでの立ち上がり時間が35n秒以下、最大高さから最大高さの10%に至るまでの立ち下がり時間が80n秒以上であるものとすることで、結晶化などに適したパルスエネルギー密度を格別に大きくすることなく、そのマージン量を大きくして、良質なアニール処理をスループットを低下させることなく行う。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
Also published as:
CN102971833US20130210242SG186896KR1020130089149