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1. (WO2012004882) 磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/004882 国際出願番号: PCT/JP2010/061667
国際公開日: 12.01.2012 国際出願日: 09.07.2010
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01) ,G11C 11/15 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
8246
リードオンリーメモリ構造(ROM)
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
11
特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置;そのための記憶素子
02
磁気的素子を用いるもの
14
薄膜素子を用いるもの
15
多層の磁性層を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08
磁界制御抵抗
出願人:
国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 宮城県仙台市青葉区片平二丁目1番1号 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577, JP (AllExceptUS)
株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280, JP (AllExceptUS)
大野 英男 OHNO Hideo [JP/JP]; JP (UsOnly)
池田 正二 IKEDA Shoji [JP/JP]; JP (UsOnly)
伊藤 顕知 ITO Kenchi [JP/JP]; JP (UsOnly)
山本 浩之 YAMAMOTO Hiroyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
三浦 勝哉 MIURA Katsuya [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
大野 英男 OHNO Hideo; JP
池田 正二 IKEDA Shoji; JP
伊藤 顕知 ITO Kenchi; JP
山本 浩之 YAMAMOTO Hiroyuki; JP
三浦 勝哉 MIURA Katsuya; JP
代理人:
平木 祐輔 HIRAKI Yusuke; 東京都港区愛宕2丁目5番1号 愛宕グリーンヒルズMORIタワー32階 Atago Green Hills MORI Tower 32F, 5-1, Atago 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1056232, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE ET MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ
要約:
(EN) Disclosed is a magnetic random access memory for spin torque magnetization reversal applications, which is thermally stable during reading and has a reduced current during writing. A permanent magnet layer (504, 510) having magnetization in a direction opposite to the direction of the magnetization of a fixed layer is arranged on the top and bottom of a magnetoresistance effect element, wherein the magnetoresistance effect element comprises a recording layer (506) which has magnetization in a direction perpendicular to the film surface, a fixed layer (508) of which the magnetization is fixed in one direction that is perpendicular to the film surface, and a non-magnetic barrier layer (507) which is formed between the fixed layer and the recording layer.
(FR) L'invention concerne une mémoire vive magnétique destinée à des applications d'inversion de l'aimantation d'un couple de rotation. Ladite mémoire est thermiquement stable pendant la lecture et présente un courant réduit pendant l'écriture. Une couche d'aimant permanent (504, 510) dont l'aimantation est opposée à la direction d'aimantation d'une couche fixe est disposée au-dessus et en dessous d'un élément magnétorésistif. L'élément magnétorésistif comprend une couche d'enregistrement (506) dont l'aimantation est perpendiculaire à la surface du film, une couche fixe (508) dont l'aimantation est fixe dans une direction perpendiculaire à la surface du film, et une couche barrière amagnétique (507) formée entre la couche fixe et la couche d'enregistrement.
(JA)  読出し時に熱的に安定で、かつ書き込み時の電流を低減した、スピントルク磁化反転応用の磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 膜面に垂直な方向の磁化を有する記録層506と、膜面に垂直な一方向に磁化が固定された固定層508と、固定層と記録層の間に形成された非磁性障壁層507を有する磁気抵抗効果素子の上下に、固定層の磁化の向きと逆向きの磁化を有する永久磁石層504,510を設ける。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2012004882