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1. (WO2012002573) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/002573 国際出願番号: PCT/JP2011/065525
国際公開日: 05.01.2012 国際出願日: 30.06.2011
IPC:
H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 29/417 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 33/40 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
40
電極
41
その形状,相対的大きさまたは配置に特徴のあるもの
417
整流,増幅またはスイッチされる電流を流すもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
36
電極に特徴があるもの
40
材料
出願人:
合同会社先端配線材料研究所 Advanced Interconnect Materials, LLC [JP/JP]; 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉6−6−40−402 6-6-40-402, Aza-aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9800845, JP (AllExceptUS)
小池 淳一 KOIKE Junichi; JP (UsOnly)
ユン ピルサン YUN Pilsang; JP (UsOnly)
川上 英昭 KAWAKAMI Hideaki; JP (UsOnly)
発明者:
小池 淳一 KOIKE Junichi; JP
ユン ピルサン YUN Pilsang; JP
川上 英昭 KAWAKAMI Hideaki; JP
代理人:
福田 賢三 FUKUDA Kenzo; 東京都港区西新橋一丁目6番13号柏屋ビル Kashiwaya Bldg., 6-13, Nishishinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003, JP
優先権情報:
2010-15211302.07.2010JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約:
(EN) In order to more stably form an ohmic junction between an electrode and a semiconductor layer, and to be able to decrease the electrical contact resistance therebetween, the disclosed semiconductor device is provided with: a semiconductor layer (103) comprising an oxide semiconductor material containing indium; an ohmic electrode (107) that has an ohmic junction with said semiconductor layer (103); and an intermediate layer (106) provided between the semiconductor layer (103) and the ohmic electrode (107). The intermediate layer (106) has: a first region (106a) that has a greater concentration of indium atoms than the inside of the semiconductor layer (103); and a second region (106b) that has a smaller concentration of indium atoms than the first region (106a) does.
(FR) Afin de former de manière plus stable une jonction ohmique entre une électrode et une couche semi-conductrice, et de pouvoir réduire la résistance de contact électrique entre elles, le dispositif semi-conducteur selon l'invention comporte : une couche semi-conductrice (103) comprenant un matériau semi-conducteur oxyde contenant de l'indium ; une électrode ohmique (107) ayant une jonction ohmique avec ladite couche semi-conductrice (103) ; et une couche intermédiaire (106) disposée entre la couche semi-conductrice (103) et l'électrode ohmique (107). La couche intermédiaire (106) comporte : une première zone (106a) dont la concentration en atomes d'indium est supérieure à celle de l'intérieur de la couche semi-conductrice (103) ; et une seconde zone (106b) dont la concentration en atomes d'indium est inférieure à celle de la première zone (106a).
(JA)  電極と半導体層との間のオーミック接合をより安定的に形成し、その間の電気的接触抵抗をより一層低減できるようにする。 本発明の半導体装置は、インジウムを含む酸化物半導体材料からなる半導体層103と、その半導体層103上に設けられ、当該半導体層103とオーミック接合を有するオーミック電極107と、半導体層103とオーミック電極107との間に設けられた中間層106と、を備え、その中間層106は、半導体層103の内部よりもインジウムの原子濃度を大とする第1の領域106aと、その第1の領域106aよりもインジウムの原子濃度を小とする第2の領域106bとを有している。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130168671CN103038866JPWO2012002573JP2014007418