国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2012002525) シリコンウェーハの研磨方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/002525 国際出願番号: PCT/JP2011/065145
国際公開日: 05.01.2012 国際出願日: 01.07.2011
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,B24B 37/00 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37
ラッピング機械または装置;附属装置
出願人:
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634, JP (AllExceptUS)
谷本 竜一 TANIMOTO Ryuichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
佐土原 晋弥 SADOHARA Shinya [JP/JP]; JP (UsOnly)
多久島 武 TAKUSHIMA Takeru [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
谷本 竜一 TANIMOTO Ryuichi; JP
佐土原 晋弥 SADOHARA Shinya; JP
多久島 武 TAKUSHIMA Takeru; JP
代理人:
安倍 逸郎 ABE Itsurou; 福岡県北九州市小倉北区堺町1丁目9-6 コンプレート堺町ビル403号 安倍国際特許事務所 ABE International Patent Office, Complete Sakaimachi BLDG. 403, 9-6, Sakaimachi 1-chome, Kokurakita-ku, Kitakyushu-shi, Fukuoka 8020005, JP
優先権情報:
2010-15208802.07.2010JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR POLISHING SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE POLIR UNE TRANCHE DE SILICIUM
(JA) シリコンウェーハの研磨方法
要約:
(EN) A polish-finished surface is subjected to a final polishing treatment using a final polishing solution which contains a weakly basic aqueous solution of nonabrasive grains as the main component. In the final polishing treatment, the weakly basic aqueous solution to be used as the main component of the final polishing solution has such an alkali concentration that the haze value of a final-polished surface of the wafer becomes lower than the haze value of the polish-finished surface of the wafer.
(FR) Une surface finie par polissage est soumise à un traitement de polissage final utilisant une solution de polissage final qui contient une solution de base faiblement aqueuse de grains non abrasifs en tant que composant principal. Lors du traitement de polissage final, la solution de base faiblement aqueuse devant être utilisée en tant que composant principal de la solution de polissage final est dotée d'une concentration alcali permettant à la valeur d'une surface à polissage final de la tranche d'être inférieure à la valeur de turbidité de la surface finie par polissage de la tranche.
(JA)  無砥粒の弱塩基性水溶液が主剤の最終研磨液を使用し、仕上げ研磨面を最終研磨する。その際、最終研磨液の主剤として、最終研磨面のヘイズ値がウェーハの仕上げ研磨面のヘイズ値より低くなるアルカリ濃度の弱塩基性水溶液を用いる。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130095660JPWO2012002525KR1020130014588