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1. (WO2012002346) ウェハパターンの保護膜形成用薬液、薬液の調製方法およびウェハ処理方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/002346 国際出願番号: PCT/JP2011/064725
国際公開日: 05.01.2012 国際出願日: 28.06.2011
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,G03F 7/32 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
30
液体手段を用いる画像様除去
32
そのための液体組成物,例.現像剤
出願人:
セントラル硝子株式会社 CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 山口県宇部市大字沖宇部5253番地 5253, Oaza Okiube, Ube-shi, Yamaguchi 7550001, JP (AllExceptUS)
大日本スクリーン製造株式会社 DAINIPPON SCREEN MFG. CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神北町1番地の1 Tenjinkita-cho 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP (AllExceptUS)
公文 創一 KUMON, Soichi; null (UsOnly)
齋尾 崇 SAIO, Takashi; null (UsOnly)
斎藤 真規 SAITO, Masanori; null (UsOnly)
荒田 忍 ARATA, Shinobu; null (UsOnly)
杉本 憲司 SUGIMOTO, Kenji; null (UsOnly)
中村 一樹 NAKAMURA, Kazuki; null (UsOnly)
発明者:
公文 創一 KUMON, Soichi; null
齋尾 崇 SAIO, Takashi; null
斎藤 真規 SAITO, Masanori; null
荒田 忍 ARATA, Shinobu; null
杉本 憲司 SUGIMOTO, Kenji; null
中村 一樹 NAKAMURA, Kazuki; null
代理人:
小林 博通 KOBAYASHI, Hiromichi; 東京都中央区明石町1番29号 掖済会ビル SHIGA内外国特許事務所内 c/o Shiga Patent Office, Ekisaikai Bldg., 1-29, Akashi-cho, Chuo-ku, Tokyo 1040044, JP
優先権情報:
2010-14871830.06.2010JP
発明の名称: (EN) CHEMICAL LIQUID FOR FORMING PROTECTIVE FILM FOR WAFER PATTERN, METHOD FOR PREPARING CHEMICAL LIQUID, AND METHOD FOR TREATING WAFER
(FR) LIQUIDE CHIMIQUE SERVANT À FORMER UNE PELLICULE PROTECTRICE POUR UN MOTIF DE PLAQUETTE, PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DU LIQUIDE CHIMIQUE, ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE PLAQUETTE
(JA) ウェハパターンの保護膜形成用薬液、薬液の調製方法およびウェハ処理方法
要約:
(EN) Disclosed is a chemical liquid relating to the washing of the surface of a wafer having an irregular pattern formed thereon and applicable to a method in which after a wafer is immersed in water, the wafer is pulled up from water and exposed to a gas atmosphere containing a vaporized "chemical liquid for forming a water-repellent protective film". The chemical liquid is used when washing a silicon wafer having a fine irregular pattern on a surface thereof for forming a water-repellent protective film on the surface having the irregular pattern, and the chemical liquid is supplied to the surface having the irregular pattern in the form of a vapor after introducing an OH group into the surface having the irregular pattern and contains: 93.5 to 97.499 % by mass of at least one fluorine-containing solvent selected from a group consisting of hydrofluorocarbon, hydrofluoroether, perfluorocarbon, and hydrochlorofluorocarbon; 2 to 5% by mass of at least one glycol ether acetate selected from a group consisting of ethylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate; 0.5 to 5% by mass of at least one silazane compound selected from a group consisting of hexamethyldisilazane and tetramethyldisilazane; and 0.001 to 0.25% by mass of at least one acid selected from a group consisting of trifluoroacetic acid, trifluoroacetic anhydride, trimethylsilyl trifluoroacetate, and dimethylsilyl trifluoroacetate.
(FR) L'invention concerne un liquide chimique servant au lavage de la surface d'une plaquette sur laquelle est formé un motif irrégulier et applicable à un procédé dans lequel après qu'une plaquette a été immergée dans l'eau, la plaquette est retirée de l'eau et exposée à une atmosphère gazeuse contenant un « liquide chimique servant à former une pellicule protectrice hydrofuge » vaporisé. Le liquide chimique est utilisé lorsqu'on lave une plaquette de silicium dont une surface comporte un motif irrégulier fin afin de former une pellicule protectrice hydrofuge sur la surface comportant le motif irrégulier, et le liquide chimique est appliqué sur la surface comportant le motif irrégulier sous forme d'une vapeur après avoir introduit un groupe OH dans la surface comportant le motif irrégulier et contient : 93,5 à 97,499 % en masse d'au moins un solvant contenant du fluor sélectionné parmi le groupe constitué d'hydrofluorocarbone, d'hydrofluoroéther, de perfluorocarbone, et d'hydrochlorofluorocarbone ; 2 à 5 % en masse d'au moins un acétate d'éther de glycol sélectionné parmi le groupe constitué de l'acétate de monométhyléther d'éthylène glycol et de l'acétate de monométhyléther de propylèneglycol ; 0,5 à 5 % en masse d'au moins un composé de silazane sélectionné parmi le groupe constitué d'hexaméthyldisilazane et de tétraméthyldisilazane ; et 0,001 à 0,25 % en masse d'au moins un acide sélectionné parmi le groupe constitué de l'acide trifluoroacétique, de l'anhydride trifluoroacétique, du trifluoroacétate de triméthylsilyle, et du trifluoroacétate de diméthylsilyle.
(JA) 【課題】凹凸パターンが形成されたウェハ表面の洗浄に関し、ウェハを水に浸漬後にウェハを水から引き上げて、ウェハを蒸気化された「撥水性保護膜を形成するための薬液」を含んだガス雰囲気にさらす方法に適用できる薬液を提供する。 【解決手段】表面に微細な凹凸パターンを有するシリコンウェハの洗浄時に、該凹凸パターン表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、前記薬液は凹凸パターン表面にOH基が導入された後に、蒸気として凹凸パターン表面に供給されるものであり、 ハイドロフルオロカーボン、ハイドロフルオロエーテル、パーフルオロカーボン、ハイドロクロロフルオロカーボンからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の含フッ素溶剤を93.5~97.499質量%; エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートからなる群より選ばれた少なくとも1種以上のグリコールエーテルアセテートを2~5質量%; ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザンからなる群より選ばれた少なくとも1種以上のシラザン化合物を0.5~5質量%; トリフルオロ酢酸、無水トリフルオロ酢酸、トリメチルシリルトリフルオロアセテート、ジメチルシリルトリフルオロアセテートからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の酸を0.001~0.25質量% 含むものとすること。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2012002346