国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現在ご利用になれません。
この状況が続く場合は、次のお問い合わせ先までご連絡ください。フィードバック & お問い合わせ
1. (WO2012002243) 撥水性保護膜形成剤、撥水性保護膜形成用薬液と該薬液を用いたウェハの洗浄方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/002243 国際出願番号: PCT/JP2011/064370
国際公開日: 05.01.2012 国際出願日: 23.06.2011
IPC:
H01L 21/304 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
セントラル硝子株式会社 CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 山口県宇部市大字沖宇部5253番地 5253, Oaza Okiube, Ube-shi, Yamaguchi 7550001, JP (AllExceptUS)
斎藤 真規 SAITO, Masanori; null (UsOnly)
齋尾 崇 SAIO, Takashi; null (UsOnly)
荒田 忍 ARATA, Shinobu; null (UsOnly)
公文 創一 KUMON, Soichi; null (UsOnly)
七井 秀寿 NANAI, Hidehisa; null (UsOnly)
発明者:
斎藤 真規 SAITO, Masanori; null
齋尾 崇 SAIO, Takashi; null
荒田 忍 ARATA, Shinobu; null
公文 創一 KUMON, Soichi; null
七井 秀寿 NANAI, Hidehisa; null
代理人:
小林 博通 KOBAYASHI, Hiromichi; 東京都中央区明石町1番29号 掖済会ビル SHIGA内外国特許事務所内 c/o Shiga Patent Office, Ekisaikai Bldg., 1-29, Akashi-cho, Chuo-ku, Tokyo 1040044, JP
優先権情報:
2010-14665528.06.2010JP
2011-04011825.02.2011JP
2011-10863413.05.2011JP
発明の名称: (EN) WATER-REPELLENT PROTECTIVE FILM FORMATION AGENT, CHEMICAL SOLUTION FOR FORMING WATER-REPELLENT PROTECTIVE FILM, AND WAFER CLEANING METHOD USING CHEMICAL SOLUTION
(FR) AGENT DE FORMATION DE FILM PROTECTEUR HYDROFUGE, SOLUTION CHIMIQUE POUR FORMER UN FILM PROTECTEUR HYDROFUGE ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE PLAQUETTES À L'AIDE D'UNE SOLUTION CHIMIQUE
(JA) 撥水性保護膜形成剤、撥水性保護膜形成用薬液と該薬液を用いたウェハの洗浄方法
要約:
(EN) [Problem] To provide a water-repellent protective film formation agent, a chemical solution that contains the agent and is used for forming a water-repellent protective film, and a cleaning method for wafers that uses the chemical solution, wherein it is possible in the manufacturing of semiconductor devices to efficiently clean wafers while preventing pattern collapse of: wafers (1) in which a substance containing silicon atoms is included on at least the surface of the recesses in an unevenly patterned (2) wafer surface; or wafers (1) in which at least one type of substance selected from a group consisting of titanium, titanium nitride, tungsten, aluminum, copper, tin, tantalum nitride, and ruthenium, is included on part of at least the surface of the recesses in an unevenly patterned (2) wafer surface. [Solution] A water-repellent protective film formation agent that is used in wafer cleaning for forming a water-repellent protective film on at least the surface of the recesses of wafers, the agent being a silicon compound represented by the formula [1]. [1] R1aSiX4-a
(FR) [Problème] Produire un agent de formation de film protecteur hydrofuge, une solution chimique qui contient ledit agent et qui est utilisée pour former un film protecteur hydrofuge et un procédé de nettoyage de plaquettes dans lequel la solution chimique est utilisée, ce qui permet de nettoyer efficacement les plaquettes, lors de la fabrication de dispositifs à semi-conducteur, tout en empêchant l'affaissement des motifs : de plaquettes (1) dans lesquelles une substance contenant des atomes de silicium est présente sur au moins la surface des creux d'une plaquette à motif irrégulier (2); ou de plaquettes (1) dans lesquelles au moins un type de substance choisie dans un groupe constitué de titane, nitrure de titane, tungstène, aluminium, cuivre, étain, nitrure de tantale et ruthénium, est présente sur une partie d'au moins la surface des creux d'une plaquette à motif irrégulier (2). [Solution] Un agent de formation de film protecteur hydrofuge qui est utilisé dans le nettoyage de plaquettes pour la formation d'un film protecteur hydrofuge sur au moins la surface des creux des plaquettes, l'agent étant un composé de silicium représenté par la formule [1]. [1] R1aSiX4-a
(JA) 【課題】半導体デバイス製造において、凹凸パターン(2)の少なくとも凹部表面にケイ素元素を含む物質を含むウェハ(1)、又は、該凹凸パターン(2)の少なくとも凹部表面の一部がチタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、及びルテニウムからなる群から選ばれる少なくとも1種の物質を含むウェハ(1)のパターンの倒れを防止しながらウェハを洗浄する方法に関し、効率的に洗浄することが可能な撥水性保護膜形成剤、及び、該剤を含む撥水性保護膜形成用薬液、及び、該薬液を用いたウェハの洗浄方法を提供する。 【解決手段】上記ウェハの洗浄において、前記ウェハの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤であり、前記剤が下記一般式[1]で表されるケイ素化合物である。 R1aSiX4-a [1]
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
Also published as:
CN102971836SG186761KR1020130046431KR1020150022028