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1. WO2012002212 - 半導体装置の製造方法及びそれに用いられる基板カセット

公開番号 WO/2012/002212
公開日 05.01.2012
国際出願番号 PCT/JP2011/064242
国際出願日 22.06.2011
IPC
H01L 21/673 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
673特に適合するキャリアを使用するもの
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H01L 21/306 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
H01L 31/04 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04光起電変換装置として使用されるもの
CPC
H01L 21/67086
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
67063for etching
67075for wet etching
67086with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
H01L 31/02363
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0236Special surface textures
02363of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
H01L 31/0747
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
072the potential barriers being only of the PN heterojunction type
0745comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
0747comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer or HIT® solar cells; solar cells
H01L 31/1876
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
1876Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
Y02E 10/50
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
Y02P 70/50
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
70Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
出願人
  • 三洋電機株式会社 SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 山崎 敦子 YAMAZAKI Atsuko [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 島 正樹 SHIMA Masaki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 増成 良則 MASUNARI Yoshinori [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 山崎 敦子 YAMAZAKI Atsuko
  • 島 正樹 SHIMA Masaki
  • 増成 良則 MASUNARI Yoshinori
代理人
  • 鳥居 洋 TORII Hiroshi
優先権情報
2010-14703929.06.2010JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SUBSTRATE CASSETTE USED THEREFOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET CASSETTE DE SUBSTRAT UTILISÉE À CET EFFET
(JA) 半導体装置の製造方法及びそれに用いられる基板カセット
要約
(EN)
Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device, wherein sticking between a rib and a semiconductor substrate is prevented and uniform etching can be performed by smoothly flowing a cleaning liquid and an etching liquid over the surface of the semiconductor substrate. Specifically disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device, wherein a single crystal silicon substrate is arranged between a plurality of ribs (10) that are provided on a substrate cassette and the substrate cassette is immersed into an etching liquid that is contained in a bath, thereby performing a surface treatment of the single crystal silicon substrate. The surface of each rib (10) of the substrate cassette is provided with a hole (101) for reducing the contact area between the rib surface and the single crystal silicon substrate.
(FR)
L'invention concerne un procédé servant à fabriquer un dispositif semi-conducteur, l'adhérence entre une nervure et un substrat semi-conducteur étant évitée et une gravure uniforme pouvant être effectuée en versant uniformément un liquide de nettoyage et un liquide de gravure sur la surface du substrat semi-conducteur. L'invention concerne spécifiquement un procédé servant à fabriquer un dispositif semi-conducteur, un substrat de silicium monocristallin étant agencé entre une pluralité de nervures (10) qui sont disposées sur une cassette de substrat et la cassette de substrat étant immergée dans un liquide de gravure qui est contenu dans un bain, effectuant ainsi un traitement de surface du substrat de silicium monocristallin. La surface de chaque nervure (10) de la cassette de substrat comporte un trou (101) servant à réduire l'aire de contact entre la surface des nervures et le substrat de silicium monocristallin.
(JA)
 リブと半導体基板との間の張り付きを防止し、洗浄液、エッチング液を半導体基板表面にスムーズに流し、均一なエッチングが実現できる方法を提供する。この発明は、基板カセットに設けられた複数のリブ(10)の間に、単結晶シリコン基板を配置し、基板カセットをエッチング液が収容された槽内に浸漬し、単結晶シリコン基板の表面処理を行う半導体装置の製造方法であって、基板カセットのリブ(10)の表面に単結晶シリコン基板との接触面積を低下させる穴部(101)が設けられている。
他の公開
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