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1. (WO2012002182) 太陽電池用導電性ペースト組成物
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/002182 国際出願番号: PCT/JP2011/063969
国際公開日: 05.01.2012 国際出願日: 17.06.2011
IPC:
H01L 31/04 (2006.01) ,H01B 1/20 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
H 電気
01
基本的電気素子
B
ケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
1
導電材料によって特徴づけられる導体または導電物体;導体としての材料の選択
20
非導電有機物質中に分散された導電物質
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
出願人:
株式会社ノリタケカンパニーリミテド NORITAKE CO., LIMITED [JP/JP]; 愛知県名古屋市西区則武新町三丁目1番36号 1-36, Noritake-shinmachi 3-chome, Nishi-ku, Nagoya-shi, Aichi 4518501, JP (AllExceptUS)
吉野 泰 YOSHINO Yasushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
川本 裕介 KAWAMOTO Yusuke [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
吉野 泰 YOSHINO Yasushi; JP
川本 裕介 KAWAMOTO Yusuke; JP
代理人:
池田 治幸 IKEDA Haruyuki; 愛知県名古屋市中村区名駅三丁目15-1名古屋ダイヤビル2号館 池田国際特許事務所 Ikeda Patent Office, Nagoya-Dia. Bldg. No.2, 15-1, Meieki 3-chome, Nakamura-ku, Nagoya-shi, Aichi 4500002, JP
優先権情報:
2010-15220502.07.2010JP
発明の名称: (EN) CONDUCTIVE PASTE COMPOSITION FOR SOLAR CELL
(FR) COMPOSITION DE PÂTE CONDUCTRICE POUR CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池用導電性ペースト組成物
要約:
(EN) Disclosed is a conductive paste composition for a solar cell, which enables the control of entry amount of an electrode material easier, while providing an ohmic contact easily when an electrode is formed by a fire-through process in a solar cell that has a shallow emitter structure with a thin n layer. Specifically, a light-receiving surface electrode is configured of a thick silver film that contains lead glass in an amount of 1-10 parts by weight relative to 100 parts by weight of silver, said lead glass having a composition that contains 20-62 mol% of PbO, 1-18 mol% of B2O3, 18-65 mol% of SiO2, 0.6-18 mol% of Li2O, 0-6 mol% of Al2O3, 0-6 mol% of TiO2, 0-30 mol% of ZnO, 0-6 mol% of P2O5 and 0-4 mol% of Sb2O5, with the Pb/Si molar ratio being within the range of 0.5-1.7. Consequently, good ohmic contact is obtained between the light-receiving surface electrode and the n layer and the contact resistance is reduced even though the light-receiving surface electrode has a narrow line width of about 100 μm.
(FR) L'invention concerne une composition de pâte conductrice pour une cellule solaire, qui facilite le contrôle de la quantité d'entrée d'un matériau d'électrode, tout en produisant facilement un contact ohmique quand une électrode est formée par un traitement de cuisson dans une cellule solaire qui comporte une structure émettrice avec une couche mince de type n. Spécifiquement, une électrode à surface réceptrice de lumière est composée d'une épaisse pellicule d'argent qui contient du verre au plomb dans une teneur de 1-10 parties en poids par rapport à 100 parties en poids d'argent, ledit verre au plomb ayant une composition qui contient 20-62 % molaires de PbO, 1-18 % molaires de B2O3, 18-65 % molaires de SiO2, 0,6-18 % molaires de Li2O, 0-6 % molaires d'Al2O3, 0-6 % molaires de TiO2, 0-30 % molaires de ZnO, 0-6 % molaires de P2O5 et 0-4 % molaires de Sb2O5, le rapport molaire Pb/Si étant compris entre 0,5 et 1,7. Par conséquent, un bon contact ohmique est obtenu entre l'électrode à surface réceptrice de lumière et la couche de type n et la résistance de contact est réduite même si l'électrode à surface réceptrice de lumière a une largeur de ligne étroite d'environ 100 μm.
(JA)  n層の薄いシャローエミッタ構造の太陽電池にファイヤースルー法で電極を形成するに際して、電極材料の侵入量の制御を容易にし且つオーミックコンタクトが容易に得られる太陽電池用導電性ペースト組成物を提供する。 受光面電極は、PbOを20~62(mol%)の範囲内、B2O3を1~18(mol%)の範囲内、SiO2を18~65(mol%)の範囲内且つPb/Siモル比が0.5~1.7の範囲内、Li2Oを0.6~18(mol%)の範囲内、Al2O3を0~6(mol%)の範囲内、TiO2を0~6(mol%)の範囲内、ZnOを0~30(mol%)の範囲内、P2O5を0~6(mol%)の範囲内、Sb2O5を0~4(mol%)の範囲内の割合でそれぞれ含む組成の鉛ガラスを、銀100重量部に対して1~10重量部の範囲で含む厚膜銀で構成されていることから、線幅が100(μm)程度に細くされているにも拘わらず、n層との間で良好なオーミックコンタクトが得られ、接触抵抗が低くなっている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130099181CN102959721KR1020130129900