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1. (WO2012002174) 無鉛半導体封入用ガラス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/002174 国際出願番号: PCT/JP2011/063917
国際公開日: 05.01.2012 国際出願日: 17.06.2011
IPC:
C03C 3/068 (2006.01) ,C03C 3/095 (2006.01) ,H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01) ,H01L 33/52 (2010.01)
C 化学;冶金
03
ガラス;鉱物またはスラグウール
C
ガラス,うわ薬またはガラス質ほうろうの化学組成;ガラスの表面処理;ガラス,鉱物またはスラグからの繊維またはフィラメントの表面処理;ガラスのガラスまたは他物質への接着
3
ガラスの組成物
04
シリカを含むもの
062
重量比40%未満のシリカを有するもの
064
ほう素を含むもの
068
希土類を含むもの
C 化学;冶金
03
ガラス;鉱物またはスラグウール
C
ガラス,うわ薬またはガラス質ほうろうの化学組成;ガラスの表面処理;ガラス,鉱物またはスラグからの繊維またはフィラメントの表面処理;ガラスのガラスまたは他物質への接着
3
ガラスの組成物
04
シリカを含むもの
076
重量比で40%から90%シリカを有するもの
095
希土類を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
29
材料に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
31
配列に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
48
半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの
52
封止
出願人:
日本電気硝子株式会社 NIPPON ELECTRIC GLASS CO., LTD. [JP/JP]; 滋賀県大津市晴嵐2丁目7番1号 7-1, Seiran 2-chome, Otsu-shi, Shiga 5208639, JP (AllExceptUS)
橋本 幸市 HASHIMOTO Koichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
橋本 幸市 HASHIMOTO Koichi; JP
代理人:
内藤 照雄 NAITO Teruo; 東京都港区西新橋一丁目7番13号 虎ノ門イーストビルディング8階 信栄特許事務所 Shin-Ei Patent Firm, Toranomon East Bldg. 8F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003, JP
優先権情報:
2010-15097101.07.2010JP
発明の名称: (EN) LEAD-FREE GLASS FOR SEALING SEMICONDUCTOR
(FR) VERRE SANS PLOMB POUR RENDRE ÉTANCHE UN SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 無鉛半導体封入用ガラス
要約:
(EN) Provided is a lead-free glass for sealing a semiconductor, which facilitates automation of external inspection and has excellent clarity and semiconductor element sealing performance. The lead-free glass for sealing a semiconductor has a viscosity of 106 dPa∙s at a temperature of 670°C or lower, and has a glass composition comprising 0.01-6 mass% of CeO2 content and 0.1 mass% or less of Sb2O3 content.
(FR) L'invention concerne un verre sans plomb pour rendre étanche un semi-conducteur, qui facilite l'automatisation de l'inspection externe et a une excellente performance de clarté et d'étanchéité de l'élément semi-conducteur. Le verre sans plomb pour rendre étanche un semi-conducteur a une viscosité de 106 dPa∙s à une température de 670°C ou moins, et a une composition de verre comprenant une teneur de 0,01-6% en masse de CeO2 et une teneur de 0,1% en masse ou moins de Sb2O3.
(JA)  本発明の技術的課題は、外観検査の自動化が容易であり、しかも清澄性及び半導体素子の封入性に優れた無鉛半導体封入用ガラスを創案することにある。 本発明に係る無鉛半導体封入用ガラスは、10dPa・sの粘度の温度が670℃以下であり、ガラス組成として、CeOの含有量が0.01~6質量%であり、且つSbの含有量が0.1質量%以下である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130090227CN102958860