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1. WO2012002159 - 基板処理装置及び基板処理装置のクリーニング方法

公開番号 WO/2012/002159
公開日 05.01.2012
国際出願番号 PCT/JP2011/063812
国際出願日 16.06.2011
IPC
H01L 21/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
C23C 16/44 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
H01L 21/312 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
312有機物層,例.フォトレジスト
CPC
B05D 1/60
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
1Processes for applying liquids or other fluent materials
60Deposition of organic layers from vapour phase
C23C 16/4412
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
4412Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
C23C 16/45578
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
455characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
45563Gas nozzles
45578Elongated nozzles, tubes with holes
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 Tokyo Electron Limited [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 杉田 吉平 SUGITA, Kippei [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 熊谷 泰徳 KUMAGAI, Yasunori [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 長谷川 陽成 HASEGAWA, Harunari [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 福森 弘司 FUKUMORI, Koji [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 杉田 吉平 SUGITA, Kippei
  • 熊谷 泰徳 KUMAGAI, Yasunori
  • 長谷川 陽成 HASEGAWA, Harunari
  • 福森 弘司 FUKUMORI, Koji
代理人
  • 伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko
優先権情報
2010-14801229.06.2010JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, AND METHOD FOR CLEANING OF SUBSTRATE TREATMENT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DU DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置及び基板処理装置のクリーニング方法
要約
(EN)
A substrate treatment device comprising: an outer tube which serves as a chamber from which a gas can be discharged by means of a vacuum pump; an inner tube which is arranged in the outer tube and has an opening and in which an substrate is to be placed; a gas supply unit for introducing a gas into the inner tube; a heater for heating the substrate, the outer tube and the inner tube; and a trap unit which is arranged in a space formed between the outer tube and the inner tube.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de traitement de substrat comprenant : un tube extérieur qui sert de chambre de laquelle un gaz peut être déchargé au moyen d'une pompe à vide; un tube intérieur qui est agencé dans le tube extérieur et comporte une ouverture et dans lequel doit être placé un substrat; une unité d'alimentation en gaz servant à introduire un gaz dans le tube intérieur; un réchauffeur servant à chauffer le substrat, le tube extérieur et le tube intérieur; et une unité de piégeage qui est agencée dans un espace formé entre le tube extérieur et le tube intérieur.
(JA)
 真空ポンプにより排気可能なチャンバーとなる外部管と、前記外部管内に設けられ、開口部を有し、内部に基板が設置される内部管と、前記内部管内にガスを導入するためのガス供給部と、前記基板、前記外部管、前記内部管を加熱するためのヒーターと、前記外部管と前記内部管との間の空間に設けられたトラップ部とを備える基板処理装置が開示される。
他の公開
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