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1. (WO2012002146) 保護膜形成用薬液及びウェハ表面の洗浄方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/002146 国際出願番号: PCT/JP2011/063635
国際公開日: 05.01.2012 国際出願日: 15.06.2011
IPC:
H01L 21/304 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
セントラル硝子株式会社 CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 山口県宇部市大字沖宇部5253番地 5253, Oaza Okiube, Ube-shi, Yamaguchi 7550001, JP (AllExceptUS)
荒田 忍 ARATA, Shinobu; null (UsOnly)
斎藤 真規 SAITO, Masanori; null (UsOnly)
齋尾 崇 SAIO, Takashi; null (UsOnly)
公文 創一 KUMON, Soichi; null (UsOnly)
七井 秀寿 NANAI, Hidehisa; null (UsOnly)
発明者:
荒田 忍 ARATA, Shinobu; null
斎藤 真規 SAITO, Masanori; null
齋尾 崇 SAIO, Takashi; null
公文 創一 KUMON, Soichi; null
七井 秀寿 NANAI, Hidehisa; null
代理人:
小林 博通 KOBAYASHI, Hiromichi; 東京都中央区明石町1番29号 掖済会ビル SHIGA内外国特許事務所内 c/o Shiga Patent Office, Ekisaikai Bldg., 1-29, Akashi-cho, Chuo-ku, Tokyo 1040044, JP
優先権情報:
2010-15053630.06.2010JP
2011-12714907.06.2011JP
発明の名称: (EN) CHEMICAL SOLUTION FOR FORMING PROTECTIVE FILM, AND WASHING METHOD FOR WAFER SURFACE
(FR) SOLUTION CHIMIQUE POUR FORMER UNE PELLICULE PROTECTRICE, ET PROCÉDÉ DE LAVAGE POUR SURFACE DE PLAQUETTES
(JA) 保護膜形成用薬液及びウェハ表面の洗浄方法
要約:
(EN) Disclosed is a chemical solution for forming a water-repellent protective film on at least the surface of concave sections on a metallic wafer, said chemical solution containing water and a surfactant which has an HLB value of 0.001-10 according to Griffin's method and which comprises hydrophobic sections including a 6-18 carbon number hydrocarbon group. The concentration of the surfactant in said chemical solution, relative to the 100 mass% total volume of the chemical solution, is at least 0.00001 mass% but not greater than the saturation concentration. The disclosed chemical solution is an improvement on washing processes which tend to cause pattern collapse in a metallic wafer.
(FR) L'invention concerne une solution chimique servant à former une pellicule protectrice hydrofuge sur au moins la surface de sections concaves sur une plaquette métallique, ladite solution chimique contenant de l'eau et un tensioactif dont la valeur HLB est de 0,001-10 selon la méthode de Griffin et qui contient des sections hydrophobes comprenant des groupes hydrocarbures à 6-18 atomes de carbone. La concentration du tensioactif dans ladite solution chimique, par rapport au volume total de 100 % en masse de la solution chimique, est d'au moins 0,00001 % en masse, mais n'est pas supérieure à la concentration de saturation. La solution chimique selon l'invention est une amélioration des processus de lavage qui tendent à provoquer un écrasement des motifs dans une plaquette métallique.
(JA) 開示されているのは、金属系ウェハの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、Griffin法によるHLB値が0.001~10であり炭素数が6~18の炭化水素基を含む疎水部を有する界面活性剤と、水を含み、薬液中の前記界面活性剤の濃度が、該薬液の総量100質量%に対して0.00001質量%以上、飽和濃度以下であることを特徴とする、撥水性保護膜形成用薬液である。この薬液は金属系ウェハのパターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善できる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130104931CN102971835SG186224KR1020130024970