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1. (WO2012002145) 撥水性保護膜形成用薬液
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/002145 国際出願番号: PCT/JP2011/063634
国際公開日: 05.01.2012 国際出願日: 15.06.2011
IPC:
H01L 21/304 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
セントラル硝子株式会社 CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 山口県宇部市大字沖宇部5253番地 5253, Oaza Okiube, Ube-shi, Yamaguchi 7550001, JP (AllExceptUS)
齋尾 崇 SAIO, Takashi; null (UsOnly)
公文 創一 KUMON, Soichi; null (UsOnly)
斎藤 真規 SAITO, Masanori; null (UsOnly)
荒田 忍 ARATA, Shinobu; null (UsOnly)
七井 秀寿 NANAI, Hidehisa; null (UsOnly)
発明者:
齋尾 崇 SAIO, Takashi; null
公文 創一 KUMON, Soichi; null
斎藤 真規 SAITO, Masanori; null
荒田 忍 ARATA, Shinobu; null
七井 秀寿 NANAI, Hidehisa; null
代理人:
小林 博通 KOBAYASHI, Hiromichi; 東京都中央区明石町1番29号 掖済会ビル SHIGA内外国特許事務所内 c/o Shiga Patent Office, Ekisaikai Bldg., 1-29, Akashi-cho, Chuo-ku, Tokyo 1040044, JP
優先権情報:
2010-14959630.06.2010JP
2011-10832313.05.2011JP
発明の名称: (EN) CHEMICAL SOLUTION FOR FORMING WATER-REPELLENT PROTECTIVE FILM
(FR) SOLUTION CHIMIQUE POUR FORMER UN FILM PROTECTEUR HYDROFUGE
(JA) 撥水性保護膜形成用薬液
要約:
(EN) Disclosed are a method, in the manufacture of a semiconductor device, for washing a wafer (1) whilst preventing pattern collapse in the wafer (1), which includes elemental silicon on at least the surface of concave sections of a convex-concave pattern (2) formed on the surface thereof, and a chemical solution for forming a water-repelling protective film which can be efficiently washed, the chemical solution being used in the washing method. The disclosed chemical solution for forming a water-repellent protective film is for forming a protective film (10) on at least the surface of concave sections in a convex-concave pattern (2) when a wafer (1) is washed, said wafer having a convex-concave pattern (2) on the surface thereof, with at least part of the convex-concave pattern (2) containing elemental silicon, and the chemical solution containing a dialkylsilyl compound represented by general formula (1), and not containing an acid or base. (1) R2 (H) SiX
(FR) L'invention concerne un procédé utilisé dans la fabrication d'un dispositif semi-conducteur pour laver une plaquette (1) tout en empêchant la destruction du motif formé sur la plaquette (1), laquelle comprend du silicium élémentaire au moins sur la surface de sections concaves d'un motif convexe-concave (2) formé sur sa surface. L'invention concerne également une solution chimique pour former un film protecteur hydrofuge qui peut être efficacement lavé, ladite solution étant utilisée dans le procédé de lavage. La solution chimique décrite est destinée à former un film protecteur hydrofuge (10) au moins sur la surface de sections concaves d'un motif convexe-concave (2) quand une plaquette (1) est lavée, ladite plaquette comportant un motif convexe-concave (2) sur sa surface, au moins une partie dudit motif (2) contenant du silicium élémentaire. La solution chimique contient un composé dialkylsilylique représenté par la formule générale R2(H)SiX (1), mais ne contient ni acide ni base.
(JA) 【課題】半導体デバイス製造において、表面に凹凸パターン(2)を形成されたウェハの少なくとも凹部表面にケイ素元素を含むウェハ(1)のパターンの倒れを防止しながらウェハ(1)を洗浄する方法に関し、効率的に洗浄することが可能な保護膜形成用薬液及び該薬液を用いたウェハの洗浄方法を提供する。 【解決手段】表面に凹凸パターン(2)を有し該凹凸パターン(2)の少なくとも一部がケイ素元素を含むウェハ(1)の洗浄時に該凹凸パターン(2)の少なくとも凹部表面に保護膜(10)を形成するための撥水性保護膜形成用薬液であり、下記一般式[1]で表されるジアルキルシリル化合物を含有し、酸及び塩基を含有しない。 R2(H)SiX  [1]
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
Also published as:
US20130092191KR1020130050349