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1. (WO2012002144) 受光素子およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/002144 国際出願番号: PCT/JP2011/063630
国際公開日: 05.01.2012 国際出願日: 15.06.2011
IPC:
H01L 31/10 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08
輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
出願人:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES,LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP (AllExceptUS)
秋田 勝史 AKITA, Katsushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
石塚 貴司 ISHIZUKA, Takashi [JP/JP]; JP (UsOnly)
藤井 慧 FUJII, Kei [JP/JP]; JP (UsOnly)
中幡 英章 NAKAHATA, Hideaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
永井 陽一 NAGAI, Youichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
稲田 博史 INADA, Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
猪口 康博 IGUCHI, Yasuhiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
秋田 勝史 AKITA, Katsushi; JP
石塚 貴司 ISHIZUKA, Takashi; JP
藤井 慧 FUJII, Kei; JP
中幡 英章 NAKAHATA, Hideaki; JP
永井 陽一 NAGAI, Youichi; JP
稲田 博史 INADA, Hiroshi; JP
猪口 康博 IGUCHI, Yasuhiro; JP
代理人:
中田 元己 NAKATA, Motomi; 大阪府大阪市此花区島屋一丁目1番3号 住友電気工業株式会社内 c/o Sumitomo Electric Industries, Ltd., 1-3, Shimaya 1-chome, Konohana-ku, Osaka-shi, Osaka 5540024, JP
優先権情報:
2010-14763629.06.2010JP
発明の名称: (EN) PHOTORECEPTOR ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) ELÉMENT DE PHOTORÉCEPTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 受光素子およびその製造方法
要約:
(EN) Provided is a photoreceptor element with which fluctuations in photoreception sensitivity are controlled over the near infrared region from the short wavelength side including a wavelength of 1.3 µm to the long wavelength side, and also provided is a method for producing the photoreceptor element. The photoreceptor element comprises a type-II multiquantum-well photoreception layer formed by repeatedly forming GaAsSb and InGaAs layers on an InP substrate, and has photoreception sensitivity in the near infrared region that includes wavelengths of 1.3 µm and 2.0 µm. The ratio of photoreception sensitivity at a wavelength of 1.3 µm and the photoreception sensitivity at a wavelength of 2.0 µm is 0.5 to 1.6.
(FR) La présente invention a trait à un élément de photorécepteur au moyen duquel les fluctuations de la sensibilité de photoréception sont contrôlées sur la zone d'infrarouge proche à partir du côté de courte longueur d'onde incluant une longueur d'onde de 1,3 µm jusqu'au côté de grande longueur d'onde. La présente invention a également trait à un procédé permettant de produire l'élément de photorécepteur. L'élément de photorécepteur comprend une couche de photoréception à multiples puits quantiques de type II qui est formée grâce à la formation de façon répétée de couches de GaAsSb et d'InGaAs sur un substrat d'InP, et est doté d'une sensibilité de photoréception dans la zone d'infrarouge proche qui inclut des longueurs d'onde de 1,3 µm et 2,0 µm. Le rapport de la sensibilité de photoréception à une longueur d'onde de 1,3 µm et de la sensibilité de photoréception à une longueur d'onde de 2,0 µm va de 0,5 à 1,6.
(JA) 波長1.3μmを含む短波長側から長波長側の近赤外域にわたって、受光感度の変動を抑制した、受光素子およびその製造方法を提供する。 InP基板の上に、GaAsSb層とInGaAs層との繰り返し構造からなるタイプIIの多重量子井戸構造の受光層を備えて、波長1.3μmおよび2.0μmを含む近赤外域に受光感度を有する受光素子であって、前記波長1.3μmの受光感度と、波長2.0μmの受光感度との比を0.5以上1.6以下としたことを特徴とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130099203EP2590232CN102959736