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1. (WO2012002143) 低融点ガラス組成物及びそれを用いた導電性ペースト材料
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/002143 国際出願番号: PCT/JP2011/063590
国際公開日: 05.01.2012 国際出願日: 14.06.2011
IPC:
C03C 8/18 (2006.01) ,H01L 31/04 (2006.01)
C 化学;冶金
03
ガラス;鉱物またはスラグウール
C
ガラス,うわ薬またはガラス質ほうろうの化学組成;ガラスの表面処理;ガラス,鉱物またはスラグからの繊維またはフィラメントの表面処理;ガラスのガラスまたは他物質への接着
8
ほうろう;うわ薬;非フリット添加物をもつフリット組成物である溶融封止剤組成物
14
非フリット添加物をもつガラスフリット混合物,例.乳白剤,着色剤,ミル添加物
18
遊離金属を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
出願人:
セントラル硝子株式会社 CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 山口県宇部市大字沖宇部5253番地 5253, Oaza Okiube, Ube-shi, Yamaguchi 7550001, JP (AllExceptUS)
濱田 潤 HAMADA, Jun; null (UsOnly)
発明者:
濱田 潤 HAMADA, Jun; null
代理人:
小林 博通 KOBAYASHI, Hiromichi; 東京都中央区明石町1番29号 掖済会ビル SHIGA内外国特許事務所内 c/o Shiga Patent Office, Ekisaikai Bldg., 1-29, Akashi-cho, Chuo-ku, Tokyo 1040044, JP
優先権情報:
2010-14780629.06.2010JP
発明の名称: (EN) LOW-MELTING-POINT GLASS COMPOSITION AND CONDUCTIVE PASTE MATERIAL USING SAME
(FR) COMPOSITION DE VERRE À POINT DE FUSION BAS ET MATÉRIAU DE PÂTE CONDUCTRICE L'UTILISANT
(JA) 低融点ガラス組成物及びそれを用いた導電性ペースト材料
要約:
(EN) Provided is a low-melting-point glass composition for a lead-free conductive paste material with which a high collection efficiency can be obtained in a conductive paste for a crystalline Si solar cell. The conductive paste material comprises an SiO2-B2O3-ZnO-RO-R2O lead-free low-melting-point glass containing, by wt%, 2-10% of SiO2, 18-30% of B2O3, 0-10% of Al2O3, 0-25% of ZnO, 20-50% of RO(MgO+CaO+SrO+BaO), and 10-17% of R2O(Li2O+Na2O+K2O).
(FR) L'invention concerne une composition de verre à point de fusion bas pour un matériau de pâte conductrice sans plomb avec lequel un haut rendement de collection peut être obtenu dans une pâte conductrice pour une cellule solaire à Si cristallin. Le matériau de pâte conductrice comprend un verre à point de fusion bas sans plomb de SiO2-B2O3-ZnO-RO-R2O contenant, en % en poids, 2-10% de SiO2, 18-30% de B2O3, 0-10% de Al2O3, 0-25% de ZnO, 20-50% de RO (MgO + CaO + SrO + BaO), et 10-17% de R2O (Li2O + Na2O + K2O).
(JA) 【課題】結晶Si太陽電池用の導電性ペーストにおいて、高い集電効率を得られる無鉛導電性ペースト材料用の低融点ガラス組成物を提供する。 【解決手段】重量%でSiO2を2~10%、B23を18~30%、Al23を0~10%、ZnOを0~25%、RO(MgO+CaO+SrO+BaO)を20~50%、R2O(Li2O+Na2O+K2O)を10~17%含むSiO2-B23-ZnO-RO-R2O系無鉛低融点ガラスを含むことを特徴とする導電性ペースト材料である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
Also published as:
US20130119326EP2589577CN102958862