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1. WO2012002124 - 金属膜形成システム、金属膜形成方法及びコンピュータ記憶媒体

公開番号 WO/2012/002124
公開日 05.01.2012
国際出願番号 PCT/JP2011/063234
国際出願日 09.06.2011
IPC
C23C 18/10 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
18液状化合物または溶液のいずれかからなる被覆形成化合物の分解による化学的被覆であって表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの;接触メッキ
02熱分解によるもの
08金属質材料の析出に特徴のあるもの
10アルミニウムのみの析出
B05C 9/12 2006.01
B処理操作;運輸
05霧化または噴霧一般;液体または他の流動性材料の表面への適用一般
C液体または他の流動性材料を表面に適用する装置一般
9グループB05C1/00~B05C7/00に包含されない手段によって表面に液体もしくは他の流動性材料を適用する装置または設備,または液体もしくは他の流動性材料を適用する手段が重要でないような装置もしくは設備
08液体または他の流動性材料を適用しかつ補助操作を行なうためのもの
12補助操作が適用後に行なわれるもの
B05C 11/08 2006.01
B処理操作;運輸
05霧化または噴霧一般;液体または他の流動性材料の表面への適用一般
C液体または他の流動性材料を表面に適用する装置一般
11グループB05C1/00からB05C9/00までに特に分類されない構成部品,細部または付属品
02表面にすでに適用された液体または他の流動性材料を拡げるまたは再分布するための装置;コーティングの厚さの制御
08被加工物を操作,例.傾斜,することによって液体または他の流動性材料を拡げるもの
H01L 21/288 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283電極用の導電または絶縁材料の析出
288液体からの析出,例.電解液からの析出
CPC
C23C 18/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
18Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
02by thermal decomposition
08characterised by the deposition of metallic material
H01L 21/288
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes ; conducting electric current
288from a liquid, e.g. electrolytic deposition
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 木下 尚文 KISHITA, Naofumi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 木下 尚文 KISHITA, Naofumi
代理人
  • 金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo
優先権情報
2010-14872030.06.2010JP
2011-09196318.04.2011JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METAL FILM FORMATION SYSTEM, METAL FILM FORMATION METHOD, AND COMPUTER STORAGE MEDIUM
(FR) SYSTÈME DE FORMATION DE FILM MÉTALLIQUE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM MÉTALLIQUE ET SUPPORT DE STOCKAGE INFORMATIQUE
(JA) 金属膜形成システム、金属膜形成方法及びコンピュータ記憶媒体
要約
(EN)
A liquid supply unit for supplying a metal complex and a solvent is connected to an application treatment unit. The liquid supply unit comprises a metal supply source in which the metal complex is to be stored, a solvent supply source in which the solvent is to be stored, a metal supply tube for connecting the metal supply source to an application nozzle in the application treatment unit, a solvent supply tube for connecting the solvent supply source to the application nozzle, a gas supply source in which an inert gas is to be stored, a first gas supply tube for connecting the gas supply source to the metal supply tube, and a second gas supply tube for connecting the gas supply source to the solvent supply tube. The inert gas is supplied from the liquid supply unit to the application nozzle prior the reduction of the pressure of the inside of the application treatment unit.
(FR)
La présente invention se rapporte à une unité d'alimentation en liquide, conçue pour fournir un complexe métallique et un solvant, qui est raccordée à une unité de traitement d'application. L'unité d'alimentation en liquide comprend une source d'alimentation en métal dans laquelle doit être stocké le complexe métallique, une source d'alimentation en solvant dans laquelle doit être stocké le solvant, un tuyau d'alimentation en métal pour raccorder la source d'alimentation en métal à une buse d'application dans l'unité de traitement d'application, un tuyau d'alimentation en solvant pour raccorder la source d'alimentation en solvant à la buse d'application, une source d'alimentation en gaz dans laquelle doit être stocké un gaz inerte, un premier tuyau d'alimentation en gaz pour raccorder la source d'alimentation en gaz au tuyau d'alimentation en métal, et un second tuyau d'alimentation en gaz pour raccorder la source d'alimentation en gaz au tuyau d'alimentation en solvant. Le gaz inerte est transmis depuis l'unité d'alimentation en liquide à la buse d'application avant une diminution de la pression à l'intérieur de l'unité de traitement d'application.
(JA)
 塗布処理装置には、金属錯体と溶媒を供給する液供給装置が接続されている。液供給装置は、内部に金属錯体を貯留する金属供給源と、内部に溶媒を貯留する溶媒供給源と、金属供給源と塗布処理装置の塗布ノズルとを接続する金属供給管と、溶媒供給源と塗布ノズルとを接続する溶媒供給管と、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源と、ガス供給源と金属供給管とを接続する第1のガス供給管と、ガス供給源と溶媒供給管とを接続する第2のガス供給管と、を有している。塗布処理装置の内部を減圧する前に、液供給装置から塗布ノズルへ不活性ガスを供給する。
他の公開
国際事務局に記録されている最新の書誌情報