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1. (WO2012002113) 透明導電体、有機EL素子及び有機光電変換素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/002113 国際出願番号: PCT/JP2011/063031
国際公開日: 05.01.2012 国際出願日: 07.06.2011
IPC:
H05B 33/28 (2006.01) ,B82Y 20/00 (2011.01) ,H01L 51/42 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/26 (2006.01)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
12
実質的に2次元放射面をもつ光源
26
電極として使用される導電物質の配置あるいは組成によって特徴づけられたもの
28
半透明電極
B 処理操作;運輸
82
ナノテクノロジー
Y
ナノ構造物の特定の使用または応用;ナノ構造物の測定または分析;ナノ構造物の製造または処理
20
ナノ光学,例.量子光学またはフォトニック結晶
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
42
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応に特に適用されるもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
12
実質的に2次元放射面をもつ光源
26
電極として使用される導電物質の配置あるいは組成によって特徴づけられたもの
出願人:
コニカミノルタホールディングス株式会社 Konica Minolta Holdings, Inc. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番1号 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005, JP (AllExceptUS)
黒木 孝彰 KUROKI Takaaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
高田 宏 TAKADA Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
黒木 孝彰 KUROKI Takaaki; JP
高田 宏 TAKADA Hiroshi; JP
優先権情報:
2010-14730329.06.2010JP
発明の名称: (EN) TRANSPARENT CONDUCTOR, ORGANIC EL ELEMENT, AND ORGANIC PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) CONDUCTEUR TRANSPARENT, ÉLÉMENT EL ORGANIQUE ET ÉLÉMENT ORGANIQUE DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 透明導電体、有機EL素子及び有機光電変換素子
要約:
(EN) Disclosed is a novel transparent conductor which, when used in the production of a flexible organic electronic element (e.g., an organic EL element, an organic solar cell) having both high electrical conductivity and high transparency, can impart good properties to the organic electronic element. Specifically disclosed is a transparent conductor which comprises a transparent substrate and a transparent conductive layer containing carbon nanotubes and formed on the transparent substrate, and which is characterized in that the transparent conductive layer has an average transmittance of 70% or more at a spectral wavelength of 400-700 nm and a sheet resistance value of less than 10Ω/□ at 25˚C and 50% RH, and the surface of the transparent conductive layer has a calculated surface roughness (Ra) of 10 nm or less and a 10-point average roughness (Rz) of 40 nm or less.
(FR) L'invention concerne un nouveau conducteur transparent qui, lorsqu'il est utilisé dans la production d'un élément électronique organique souple (par ex. un élément EL organique, une cellule solaire organique) présentant à la fois une conductivité électrique élevée et une transparence élevée, peut conférer des propriétés satisfaisantes à l'élément électronique organique. Plus précisément, l'invention concerne un conducteur transparent comportant un substrat transparent et une couche conductrice transparente contenant des nanotubes de carbone et formée sur le substrat transparent, et caractérisé en ce que la couche conductrice transparente présente un facteur moyen de transmission d'au moins 70% à une longueur d'onde spectrale de 400 à 700 nm et une valeur de résistance de couche inférieure à 10 Ω/□ à 25˚C et 50% d'HR, et en ce que la surface de la couche conductrice transparente présente une rugosité arithmétique de surface (Ra) d'au plus 10 nm et une rugosité moyenne sur 10 points (Rz) d'au plus 40 nm.
(JA)  高い導電性と透明性を兼ね備えてかつ、フレキシブルな有機EL素子、有機太陽電池といった有機電子素子を形成した際に、良好な特性を得られる新規の透明導電体を提供するにあたり、透明基板上に、カーボンナノチューブを含有する透明導電層を有する透明導電体であって、該透明導電層は分光波長400~700nmでの平均透過率が70%以上であり、かつ、25℃50%RHでのシート抵抗値が10Ω/□未満であり、更に、該透明導電層表面の算術平均粗さRaが10nm以下で、かつ、十点平均粗さRzが40nm以下であることを特徴とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2012002113