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1. (WO2012002027) エッチング方法及び装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/002027 国際出願番号: PCT/JP2011/059587
国際公開日: 05.01.2012 国際出願日: 19.04.2011
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/8238 (2006.01) ,H01L 27/092 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
768
装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8238
相補型電界効果トランジスタ,例.CMOS
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
08
1種類の半導体構成部品だけを含むもの
085
電界効果構成部品のみを含むもの
088
構成部品が絶縁ゲートを有する電界効果トランジスタであるもの
092
相補型MIS電界効果トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP (AllExceptUS)
小津 俊久 OZU, Toshihisa [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
小津 俊久 OZU, Toshihisa; JP
代理人:
塩島 利之 SHIOJIMA, Toshiyuki; 東京都千代田区神田佐久間町二丁目12番地 フローラル秋葉原7階 Floral Akihabara bldg. 7F., 2-12, Kandasakumacho, Chiyoda-ku, Tokyo 1010025, JP
優先権情報:
2010-14735729.06.2010JP
発明の名称: (EN) ETCHING METHOD AND DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE GRAVURE
(JA) エッチング方法及び装置
要約:
(EN) Disclosed is an etching method that can prevent adverse effects of oxygen plasma from arising under an insulating film when etching the insulating film formed to a substrate. The etching method is provided with: a first etching step for exposing the insulating film (222) to process gas that has been turned into a plasma, partly etching the insulating film (222) in the direction of thickness; a deposited material elimination step for exposing the insulating film (222) remaining after completion of the first etching step to oxygen plasma, eliminating deposited material deposited on the surface of the remaining insulating film (222); and a second etching step for exposing the remaining insulating film (222) to process gas that has been turned into a plasma, etching the remaining insulating film (222).
(FR) La présente invention a trait à un procédé de gravure qui permet d'empêcher que les effets adverses du plasma d'oxygène ne se produisent sur un film isolant lors de la gravure dudit film isolant formé sur un substrat. Le procédé de gravure comprend : une première étape de gravure permettant d'exposer le film isolant (222) à un gaz de traitement qui a été transformé en plasma, de graver partiellement le film isolant (222) dans le sens de l'épaisseur; une étape d'élimination de matériau déposé permettant d'exposer le film isolant (222) restant après l'achèvement de la première étape de gravure au plasma d'oxygène, d'éliminer le matériau déposé sur la surface du film isolant (222) restant; et une seconde étape de gravure permettant d'exposer le film isolant (222) restant à un gaz de traitement qui a été transformé en plasma, de graver le film isolant (222) restant.
(JA)  基板に形成された絶縁膜をエッチングするとき、絶縁膜の下地に酸素プラズマの悪影響が生ずるのを防止できるエッチング方法を提供する。 本発明のエッチング方法は、絶縁膜222をプラズマ化させた処理ガスに晒し、絶縁膜222を厚さ方向に途中までエッチングする第一のエッチング工程と、第一のエッチング工程の終了後に残存する絶縁膜222を酸素プラズマに晒し、残存する絶縁膜222の表面に堆積した堆積物を除去する堆積物除去工程と、残存する絶縁膜222をプラズマ化させた処理ガスに晒し、残存する絶縁膜222をエッチングする第二のエッチング工程と、を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
Also published as:
US20130102157CN102959692KR1020130023286