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1. (WO2012001944) 不揮発性記憶装置及びその駆動方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/001944 国際出願番号: PCT/JP2011/003670
国際公開日: 05.01.2012 国際出願日: 28.06.2011
IPC:
G11C 13/00 (2006.01) ,H01L 27/10 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 49/00 (2006.01)
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
13
11/00,23/00,または25/00に包含されない記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
45
電位障壁または表面障壁をもたず,整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される固体装置,例.誘電体三極素子;オブシンスキー効果装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
49
27/00~47/00および51/00に分類されず,他のサブクラスにも分類されない固体装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
飯島 光輝 IIJIMA, Mitsuteru; null (UsOnly)
高木 剛 TAKAGI, Takeshi; null (UsOnly)
片山 幸治 KATAYAMA, Koji; null (UsOnly)
発明者:
飯島 光輝 IIJIMA, Mitsuteru; null
高木 剛 TAKAGI, Takeshi; null
片山 幸治 KATAYAMA, Koji; null
代理人:
新居 広守 NII, Hiromori; 大阪府大阪市淀川区西中島5丁目3番10号タナカ・イトーピア新大阪ビル6階新居国際特許事務所内 c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011, JP
優先権情報:
2010-14828929.06.2010JP
発明の名称: (EN) NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND DRIVE METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON VOLATILE ET PROCÉDÉ D'EXCITATION ASSOCIÉ
(JA) 不揮発性記憶装置及びその駆動方法
要約:
(EN) Disclosed is a drive method for a non-volatile memory device, which includes: a step (S101) for detecting a surplus low resistance cell in a plurality of memory cells (11); a step (S103) for changing the resistance value of a load resistance (121) to a second resistance value which is lower than a first resistance value; and a step (S104) for setting a variable resistance element (105) included in the surplus low resistance cell to a second high resistance state in which the resistance value is higher than that of a first low resistance state, by applying a voltage pulse to a series circuit constructed from the surplus low resistance cell and the load resistance (121) having the second resistance value.
(FR) L'invention concerne un procédé d'excitation pour un dispositif de mémoire non volatile, qui comprend : une étape (S101) pour détecter une cellule de résistance faible de surplus dans une pluralité de cellules de mémoire (11) ; une étape (S103) pour changer la valeur de résistance d'une résistance de charge (121) en une seconde valeur de résistance qui est inférieure à une première valeur de résistance ; et une étape (S104) pour définir un élément de résistance variable (105) compris dans la cellule de résistance faible de surplus à un second état de résistance élevée dans lequel la valeur de résistance est supérieure à celle d'un premier état de résistance faible, par l'application d'une impulsion de tension à un circuit série construit à partir de la cellule de résistance faible de surplus et de la résistance de charge (121) ayant la seconde valeur de résistance.
(JA)  本発明に係る不揮発性記憶装置の駆動方法は、複数のメモリセル(11)のうち、過剰低抵抗セルを検出するステップ(S101)と、負荷抵抗(121)の抵抗値を、第1の抵抗値より低い第2の抵抗値に変更するステップ(S103)と、過剰低抵抗セルと、第2の抵抗値の負荷抵抗(121)とで構成される直列回路に電圧パルスを印加することにより、過剰低抵抗セルに含まれる抵抗変化素子(105)を、第1の低抵抗状態より抵抗値が高い第2の高抵抗状態にするステップ(S104)とを含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20120170353CN102473457JPWO2012001944